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IPZA60R037CM8XKSA1

IPZA60R037CM8XKSA1 Infineon Technologies

infineon-ipza60r037cm8-datasheet-v02_01-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 64A Tube
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Technische Details IPZA60R037CM8XKSA1 Infineon Technologies

Description: IPZA60R037CM8XKSA1, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 27A, 10V, Power Dissipation (Max): 329W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 680µA, Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3458 pF @ 400 V.

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IPZA60R037CM8XKSA1 IPZA60R037CM8XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipza60r037cm8-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 64A Tube
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IPZA60R037CM8XKSA1 IPZA60R037CM8XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPZA60R037CM8_DataSheet_v02_01_EN-3445900.pdf SiC MOSFETs HIGH POWER_NEW
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IPZA60R037CM8XKSA1 IPZA60R037CM8XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Description: IPZA60R037CM8XKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3458 pF @ 400 V
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IPZA60R037CM8XKSA1 IPZA60R037CM8XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipza60r037cm8-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 64A Tube
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