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IQD020N10NM5CGSCATMA1

Infineon-IQD020N10NM5CGSC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d0191b723eb9364b8
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Transistoren > MOSFET N-CH

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IQD020N10NM5CGSCATMA1 IQD020N10NM5CGSCATMA1 Infineon Technologies infineoniqd020n10nm5cgscdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 26A 9-Pin WHTFN EP T/R
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50+3.44 EUR
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IQD020N10NM5CGSCATMA1 IQD020N10NM5CGSCATMA1 Infineon Technologies infineoniqd020n10nm5cgscdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 26A 9-Pin WHTFN EP T/R
auf Bestellung 60 Stücke:
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IQD020N10NM5CGSCATMA1 IQD020N10NM5CGSCATMA1 Infineon Technologies infineoniqd020n10nm5cgscdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 26A 9-Pin WHTFN EP T/R
auf Bestellung 4170 Stücke:
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136+4.83 EUR
500+4.52 EUR
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IQD020N10NM5CGSCATMA1 IQD020N10NM5CGSCATMA1 INFINEON 4409629.pdf Description: INFINEON - IQD020N10NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 2050 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
auf Bestellung 4465 Stücke:
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500+5.01 EUR
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IQD020N10NM5CGSCATMA1 IQD020N10NM5CGSCATMA1 Infineon Technologies Infineon-IQD020N10NM5CGSC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d0191b723eb9364b8 Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 276A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
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2+12.26 EUR
10+8.21 EUR
100+5.94 EUR
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IQD020N10NM5CGSCATMA1 IQD020N10NM5CGSCATMA1 Infineon Technologies Infineon_09-04-2024_DS_IQD020N10NM5CGSC_2_0.pdf MOSFETs IFX FET >80 - 100V
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100+6.26 EUR
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2500+4.84 EUR
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IQD020N10NM5CGSCATMA1 IQD020N10NM5CGSCATMA1 INFINEON 4409629.pdf Description: INFINEON - IQD020N10NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 2050 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
auf Bestellung 4465 Stücke:
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19+13.27 EUR
29+8.23 EUR
100+5.51 EUR
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IQD020N10NM5CGSCATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 26A 9-Pin WHTFN EP T/R
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AnzahlPrivatkunde
46+3.83 EUR
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IQD020N10NM5CGSCATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 26A 9-Pin WHTFN EP T/R
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46+3.83 EUR
50+3.37 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 26A 9-Pin WHTFN EP T/R
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AnzahlPrivatkunde
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500+4.52 EUR
1000+4.18 EUR
Mindestbestellmenge: 136 Stücke
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IQD020N10NM5CGSCATMA1 4409629.pdf
IQD020N10NM5CGSCATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQD020N10NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 2050 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
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IQD020N10NM5CGSCATMA1 Infineon-IQD020N10NM5CGSC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d0191b723eb9364b8
IQD020N10NM5CGSCATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 276A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V
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Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02
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Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
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10+8.57 EUR
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1000+4.96 EUR
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Description: INFINEON - IQD020N10NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 2050 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Dauer-Drainstrom Id: 276A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
auf Bestellung 4465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
19+13.27 EUR
29+8.23 EUR
100+5.51 EUR
500+5.01 EUR
1000+4.82 EUR
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