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IQD020N10NM5CGSCATMA1

Infineon-IQD020N10NM5CGSC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d0191b723eb9364b8
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Transistoren > MOSFET N-CH

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    IQD020N10NM5CGSCATMA1 IQD020N10NM5CGSCATMA1 Infineon Technologies infineoniqd020n10nm5cgscdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 26A 9-Pin WHTFN EP T/R
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    IQD020N10NM5CGSCATMA1 IQD020N10NM5CGSCATMA1 Infineon Technologies infineoniqd020n10nm5cgscdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 26A 9-Pin WHTFN EP T/R
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    IQD020N10NM5CGSCATMA1 IQD020N10NM5CGSCATMA1 Infineon Technologies Infineon_09-04-2024_DS_IQD020N10NM5CGSC_2_0.pdf MOSFETs IFX FET >80 - 100V
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    IQD020N10NM5CGSCATMA1 IQD020N10NM5CGSCATMA1 Infineon Technologies Infineon-IQD020N10NM5CGSC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d0191b723eb9364b8 Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Package / Case: 9-PowerWDFN
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 276A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V
    Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
    Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
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    IQD020N10NM5CGSCATMA1 IQD020N10NM5CGSCATMA1 INFINEON 4409629.pdf Description: INFINEON - IQD020N10NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 2050 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    euEccn: NLR
    Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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    Dauer-Drainstrom Id: 276A
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    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: Y
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
    Verlustleistung: 333W
    SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
    Bauform - Transistor: WHTFN
    Anzahl der Pins: 9Pin(s)
    Produktpalette: OptiMOS 5 Series
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    usEccn: EAR99
    Kanaltyp: n-Kanal
    Betriebstemperatur, max.: 175°C
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
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    IQD020N10NM5CGSCATMA1 IQD020N10NM5CGSCATMA1 INFINEON 4409629.pdf Description: INFINEON - IQD020N10NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 2050 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
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    SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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    Betriebstemperatur, max.: 175°C
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    Hersteller: Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 100V 26A 9-Pin WHTFN EP T/R
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    MOSFETs IFX FET >80 - 100V
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    Hersteller: Infineon Technologies
    Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
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    IQD020N10NM5CGSCATMA1
    Hersteller: INFINEON
    Description: INFINEON - IQD020N10NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 2050 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
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    auf Bestellung 4465 Stücke:
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    Description: INFINEON - IQD020N10NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 2050 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
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