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IQDH45N04LM6CGSCATMA1 INFINEON


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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQDH45N04LM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 611 A, 490 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Technische Details IQDH45N04LM6CGSCATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IQDH45N04LM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 611 A, 490 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 611A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 333W, Bauform - Transistor: WHTFN, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IQDH45N04LM6CGSCATMA1 IQDH45N04LM6CGSCATMA1 Infineon Technologies Infineon_09_04_2024_DS_IQDH45N04LM6CGSC_2_1-3500664.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
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IQDH45N04LM6CGSCATMA1 IQDH45N04LM6CGSCATMA1 INFINEON 4409624.pdf Description: INFINEON - IQDH45N04LM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 611 A, 490 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH <= 40V
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Description: INFINEON - IQDH45N04LM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 611 A, 490 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
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Produktpalette: OptiMOS 6 Series
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Kanaltyp: n-Kanal
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