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IQDH45N04LM6SCATMA1

IQDH45N04LM6SCATMA1 Infineon Technologies

infineoniqdh45n04lm6scdatasheetv0202en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 58A 8-Pin WHSON EP T/R
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Technische Details IQDH45N04LM6SCATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IQDH45N04LM6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 611 A, 490 µohm, WHSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 611A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, Verlustleistung: 333W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: WHSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm.

Weitere Produktangebote IQDH45N04LM6SCATMA1 nach Preis ab 3.08 EUR bis 12.61 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IQDH45N04LM6SCATMA1 IQDH45N04LM6SCATMA1 Infineon Technologies infineoniqdh45n04lm6scdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 58A 8-Pin WHSON EP T/R
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IQDH45N04LM6SCATMA1 IQDH45N04LM6SCATMA1 INFINEON 4409633.pdf Description: INFINEON - IQDH45N04LM6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 611 A, 490 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
auf Bestellung 2834 Stücke:
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IQDH45N04LM6SCATMA1 IQDH45N04LM6SCATMA1 Infineon Technologies Infineon_09-04-2024_DS_IQDH45N04LM6SC_2_1.pdf MOSFETs IFX FET 40V
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10+6.43 EUR
100+4.57 EUR
500+3.89 EUR
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IQDH45N04LM6SCATMA1 IQDH45N04LM6SCATMA1 INFINEON 4409633.pdf Description: INFINEON - IQDH45N04LM6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 611 A, 490 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
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Description: INFINEON - IQDH45N04LM6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 611 A, 490 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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Dauer-Drainstrom Id: 611A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
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Description: INFINEON - IQDH45N04LM6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 611 A, 490 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
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