IQDH45N04LM6SCATMA1 INFINEON
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQDH45N04LM6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 611 A, 490 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 611A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 4.26 EUR |
| 500+ | 3.88 EUR |
| 1000+ | 3.8 EUR |
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Technische Details IQDH45N04LM6SCATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IQDH45N04LM6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 611 A, 490 µohm, WHSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 611A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, Verlustleistung: 333W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: WHSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm.
Weitere Produktangebote IQDH45N04LM6SCATMA1 nach Preis ab 3.45 EUR bis 10.52 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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IQDH45N04LM6SCATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET 40V |
auf Bestellung 278 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IQDH45N04LM6SCATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IQDH45N04LM6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 611 A, 490 µohm, WHSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 611A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V Verlustleistung: 333W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: WHSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm |
auf Bestellung 2934 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IQDH45N04LM6SCATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 40V
MOSFETs IFX FET 40V
auf Bestellung 278 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 8.82 EUR |
| 10+ | 5.87 EUR |
| 100+ | 4.16 EUR |
| 500+ | 3.8 EUR |
| 5000+ | 3.45 EUR |
| IQDH45N04LM6SCATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQDH45N04LM6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 611 A, 490 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Produktpalette: OptiMOS 6 Series
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
Description: INFINEON - IQDH45N04LM6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 611 A, 490 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
auf Bestellung 2934 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 24+ | 10.52 EUR |
| 36+ | 6.5 EUR |
| 100+ | 4.26 EUR |
| 500+ | 3.88 EUR |
| 1000+ | 3.8 EUR |