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IQE004NE1LM7SCATMA1

IQE004NE1LM7SCATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IQE004NE1LM7SC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8ada5435018ae246370f63e0
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
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Technische Details IQE004NE1LM7SCATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IQE004NE1LM7SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, WHSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 15V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 379A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: WHSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 7V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote IQE004NE1LM7SCATMA1 nach Preis ab 1.86 EUR bis 5.63 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IQE004NE1LM7SCATMA1 IQE004NE1LM7SCATMA1 INFINEON 4018761.pdf Description: INFINEON - IQE004NE1LM7SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5426 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.46 EUR
500+2.11 EUR
1000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IQE004NE1LM7SCATMA1 IQE004NE1LM7SCATMA1 INFINEON 4018761.pdf Description: INFINEON - IQE004NE1LM7SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 379A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5426 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+5.18 EUR
66+3.52 EUR
100+2.46 EUR
500+2.11 EUR
1000+1.86 EUR
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IQE004NE1LM7SCATMA1 IQE004NE1LM7SCATMA1 Infineon Technologies Infineon-IQE004NE1LM7SC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8ada5435018ae246370f63e0 Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V
auf Bestellung 9031 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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10+3.65 EUR
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IQE004NE1LM7SCATMA1 Infineon Technologies Infineon_IQE004NE1LM7SC_DataSheet_v02_00_EN-3324446.pdf MOSFET TRENCH <= 40V
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.26 EUR
10+4.36 EUR
100+3.47 EUR
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IQE004NE1LM7SCATMA1 4018761.pdf
IQE004NE1LM7SCATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQE004NE1LM7SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 379A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
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Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5426 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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IQE004NE1LM7SCATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQE004NE1LM7SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5426 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
49+5.18 EUR
66+3.52 EUR
100+2.46 EUR
500+2.11 EUR
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IQE004NE1LM7SCATMA1 Infineon-IQE004NE1LM7SC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8ada5435018ae246370f63e0
IQE004NE1LM7SCATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V
auf Bestellung 9031 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+5.63 EUR
10+3.65 EUR
100+2.52 EUR
500+2.03 EUR
1000+1.95 EUR
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IQE004NE1LM7SCATMA1 Infineon_IQE004NE1LM7SC_DataSheet_v02_00_EN-3324446.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH <= 40V
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.26 EUR
10+4.36 EUR
100+3.47 EUR
250+3.2 EUR
500+2.92 EUR
1000+2.49 EUR
2500+2.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH