IQE008N03LM5CGSCATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
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Technische Details IQE008N03LM5CGSCATMA1 Infineon Technologies
Description: TRENCH .
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IQE008N03LM5CGSCATMA1 | Infineon Technologies |
Description: TRENCH <= 40V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 9-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Supplier Device Package: PG-WHTFN-9 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IQE008N03LM5CGSCATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IQE008N03LM5CGSCATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
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| IQE008N03LM5CGSCATMA1 |
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MOSFET
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