IQE036N08NM6ATMA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 6.5 EUR |
| 10+ | 4.24 EUR |
| 100+ | 2.95 EUR |
| 500+ | 2.39 EUR |
| 1000+ | 2.37 EUR |
| 2500+ | 2.23 EUR |
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Technische Details IQE036N08NM6ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IQE036N08NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 118 A, 0.0036 ohm, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 118A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 125W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm.
Weitere Produktangebote IQE036N08NM6ATMA1 nach Preis ab 2.49 EUR bis 7.97 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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IQE036N08NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
 Description: TRENCH 40<-<100V |
auf Bestellung 4880 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IQE036N08NM6ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IQE036N08NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 118 A, 0.0036 ohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IQE036N08NM6ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IQE036N08NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 118 A, 0.0036 ohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 118A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 125W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IQE036N08NM6ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Description: TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 4880 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 6.97 EUR |
| 10+ | 4.55 EUR |
| 50+ | 3.5 EUR |
| 100+ | 3.17 EUR |
| 500+ | 2.57 EUR |
| IQE036N08NM6ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQE036N08NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 118 A, 0.0036 ohm, TSON, Oberflächenmontage
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auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.15 EUR |
| 500+ | 2.62 EUR |
| 1000+ | 2.49 EUR |
| IQE036N08NM6ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQE036N08NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 118 A, 0.0036 ohm, TSON, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
Description: INFINEON - IQE036N08NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 118 A, 0.0036 ohm, TSON, Oberflächenmontage
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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|---|---|
| 32+ | 7.97 EUR |
| 49+ | 4.83 EUR |
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