IQE036N08NM6CGATMA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 6.94 EUR |
| 10+ | 4 EUR |
| 100+ | 3.17 EUR |
| 500+ | 2.57 EUR |
| 1000+ | 2.48 EUR |
| 2500+ | 2.39 EUR |
| 5000+ | 2.24 EUR |
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Technische Details IQE036N08NM6CGATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IQE036N08NM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 118 A, 0.0036 ohm, TTFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 118A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 125W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TTFN, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm.
Weitere Produktangebote IQE036N08NM6CGATMA1 nach Preis ab 2.51 EUR bis 8.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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IQE036N08NM6CGATMA1 | Infineon Technologies |
 Description: TRENCH 40<-<100V |
auf Bestellung 4875 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IQE036N08NM6CGATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IQE036N08NM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 118 A, 0.0036 ohm, TTFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 4970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IQE036N08NM6CGATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IQE036N08NM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 118 A, 0.0036 ohm, TTFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 118A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 125W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TTFN Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm |
auf Bestellung 4970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IQE036N08NM6CGATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Description: TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 4875 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 7.06 EUR |
| 10+ | 4.59 EUR |
| 50+ | 3.53 EUR |
| 100+ | 3.2 EUR |
| 500+ | 2.61 EUR |
| IQE036N08NM6CGATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQE036N08NM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 118 A, 0.0036 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
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auf Bestellung 4970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.19 EUR |
| 500+ | 2.65 EUR |
| 1000+ | 2.51 EUR |
| IQE036N08NM6CGATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQE036N08NM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 118 A, 0.0036 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 80V
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
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Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
Description: INFINEON - IQE036N08NM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 118 A, 0.0036 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
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auf Bestellung 4970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 31+ | 8.2 EUR |
| 47+ | 4.94 EUR |
| 100+ | 3.19 EUR |
| 500+ | 2.65 EUR |
| 1000+ | 2.51 EUR |