IQFH55N04NM6ATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 451A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.05mA
Supplier Device Package: PG-TSON-12-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 20 V
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details IQFH55N04NM6ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IQFH55N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 451 A, 550 µohm, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85423990, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 451A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: 0, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IQFH55N04NM6ATMA1 nach Preis ab 3.05 EUR bis 9.26 EUR
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IQFH55N04NM6ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRENCH <= 40V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 12-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 451A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.05mA Supplier Device Package: PG-TSON-12-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 20 V |
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IQFH55N04NM6ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH <= 40V |
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IQFH55N04NM6ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IQFH55N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 451 A, 550 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85423990 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 451A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: 0 Anzahl der Pins: 12Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IQFH55N04NM6ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
TRENCH <= 40V |
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