IR2010SPBF

IR2010SPBF Infineon Technologies


infineon-ir2010-ds-v01_00-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Driver 200V 3A 2-OUT High and Low Side Non-Inv 16-Pin SOIC W Tube
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Technische Details IR2010SPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IR2010SPBF - MOSFET-Treiber-IC, 2fach, High- & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 3Aout, 65ns, SOIC-16, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 3A, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Nicht invertierend, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 3A, Versorgungsspannung, min.: 10V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 95ns, Ausgabeverzögerung: 65ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C.

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IR2010SPBF IR2010SPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-ir2010-ds-v01_00-en.pdf Driver 200V 3A 2-OUT High and Low Side Non-Inv 16-Pin SOIC W Tube
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IR2010SPBF IR2010SPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IR2010_DS_v01_00_EN-3362832.pdf Gate Drivers 200V high & low-side 3A,Shutdown,95ns
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IR2010SPBF IR2010SPBF Hersteller : Infineon Technologies ir2010.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c48f901660 Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 15ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 9.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 3A, 3A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
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IR2010SPBF IR2010SPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-ir2010-ds-v01_00-en.pdf Driver 200V 3A 2-OUT High and Low Side Non-Inv 16-Pin SOIC W Tube
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IR2010SPBF IR2010SPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0008993711-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IR2010SPBF - MOSFET-Treiber-IC, 2fach, High- & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 3Aout, 65ns, SOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
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Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 3A
Versorgungsspannung, min.: 10V
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Eingabeverzögerung: 95ns
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Betriebstemperatur, max.: 125°C
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IR2010SPBF IR2010SPBF
Produktcode: 103474
Hersteller : IR ir2010-datasheet.pdf IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: SO-16
Uc, V: 200 V
I o +/-, A: 3/3 A
V out, V: 10-20 V
T on/T off, ns: 95/65 ns
Роб.темп.,°С: -40…+125°C
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IR2010SPBF IR2010SPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-ir2010-ds-v01_00-en.pdf Driver 200V 3A 2-OUT High and Low Side Non-Inv 16-Pin SOIC W Tube
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IR2010SPBF IR2010SPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IR2010SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO16
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16
Output current: -3...3A
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 200V
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 65ns
Anzahl je Verpackung: 1980 Stücke
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IR2010SPBF IR2010SPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IR2010SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO16
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16
Output current: -3...3A
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 200V
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