IR2112S International Rectifier
Hersteller: International RectifierHigh+Low Side Non-Inverting MOSFET and IGBT Driver; Vmax 600V; Io+/Io- 200mA/420mA; tON/OFF 125/105ns; 10V~20V; -40°C ~ 125°C; Equivalent: IR2112S; IRS2112STR; IR2112S UIIR2112s
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Technische Details IR2112S International Rectifier
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC, Packaging: Tube, Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Voltage - Supply: 10V ~ 20V, Input Type: Non-Inverting, High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V, Supplier Device Package: 16-SOIC, Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 40ns, Channel Type: Independent, Driven Configuration: High-Side or Low-Side, Number of Drivers: 2, Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET, Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 9.5V, Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA, Part Status: Obsolete, DigiKey Programmable: Not Verified.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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| IR2112S |
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IC > IC andere |
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IR2112S | Hersteller : Infineon Technologies |
Driver 600V 0.5A 2-OUT High and Low Side Non-Inv 16-Pin SOIC W |
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IR2112S | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC Packaging: Tube Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 16-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 40ns Channel Type: Independent Driven Configuration: High-Side or Low-Side Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 9.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA Part Status: Obsolete DigiKey Programmable: Not Verified |
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