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IR2113SPBF

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IR2113SPBF.pdf Infineon--DS-vNA-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c80333167e
Produktcode: 36565
Hersteller: IR
Gehäuse: SOIC-16
Uc, V: 600 V
I o +/-, A: 2 А
V out, V: 10-20 V
T on/T off, ns: 120/94 ns
Bemerkung: HIGH AND LOW SIDE DRIVER
Роб.темп.,°С: -40…+125°C
auf Bestellung 18 Stück:
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Technische Details IR2113SPBF IR

  • DRIVER, MOSFET HIGH/LOW, SMD, 2113
  • Driver IC Type:High and Low Side
  • No. of Outputs:2
  • Output Voltage:620V
  • Output Current:2.5A
  • Power Dissipation Pd:1.25W
  • Min Supply Voltage:10V
  • Case Style:SOIC
  • No. of Pins:16
  • Operating Temperature Range:-40`C to +125`C
  • Base Number:2113
  • IC Generic Number:2113
  • Logic Function Number:2113
  • Max Operating Temperature:125`C
  • Max Output Voltage:20V
  • Max Supply Voltage:20V
  • Min Output Voltage:10V
  • Min Temperature Operating:-40`C
  • Offset Voltage:600V
  • Termination Type:SMD
  • Driver IC Case Style:SOIC
  • Min Output Sink Current:2000mA
  • Min Output Source Current:2000mA
  • Turn Off Time, t Off:94ns
  • Turn On Time, t On:120ns

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IR2113SPBF IR2113SPBF Hersteller : Infineon Technologies infineondsvnaen.pdf Driver 2-OUT High Side/Low Side Non-Inv 16-Pin SOIC W Tube
auf Bestellung 1895 Stücke:
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1895+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 1895
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IR2113SPBF IR2113SPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IR2113SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16-W
Output current: -2...2A
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 145ns
Turn-off time: 111ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.53 EUR
24+2.99 EUR
Mindestbestellmenge: 21
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IR2113SPBF IR2113SPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IR2113SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16-W
Output current: -2...2A
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 145ns
Turn-off time: 111ns
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IR2113SPBF IR2113SPBF Hersteller : Infineon Technologies infineondsvnaen.pdf Driver 2-OUT High Side/Low Side Non-Inv 16-Pin SOIC W Tube
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Mindestbestellmenge: 133
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IR2113SPBF IR2113SPBF Hersteller : Infineon Technologies infineondsvnaen.pdf Driver 2-OUT High Side/Low Side Non-Inv 16-Pin SOIC W Tube
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30+4.91 EUR
37+3.9 EUR
40+3.47 EUR
50+3.3 EUR
100+3 EUR
250+2.77 EUR
500+2.54 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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IR2113SPBF IR2113SPBF Hersteller : Infineon Technologies infineondsvnaen.pdf Driver 2-OUT High Side/Low Side Non-Inv 16-Pin SOIC W Tube
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36+3.93 EUR
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IR2113SPBF IR2113SPBF Hersteller : Infineon Technologies infineondsvnaen.pdf Driver 2-OUT High Side/Low Side Non-Inv 16-Pin SOIC W Tube
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50+4.78 EUR
200+3.72 EUR
500+3.38 EUR
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3960+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 23
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IR2113SPBF IR2113SPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IR2110_DataSheet_v01_00_EN.pdf Gate Drivers HI LO SIDE DRVR 600V 2A 120ns
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1+6.76 EUR
10+5.14 EUR
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IR2113SPBF IR2113SPBF Hersteller : Infineon Technologies IR2113SPBF.pdf Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 3.3V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 25ns, 17ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 9.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 5042 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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3+7.41 EUR
10+5.63 EUR
45+4.95 EUR
135+4.6 EUR
270+4.44 EUR
540+4.3 EUR
1035+4.19 EUR
2520+4.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IR2113SPBF IR2113SPBF Hersteller : International Rectifier Infineon--DS-vNA-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c80333167e Description: IR2113 - GATE DRIVER
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
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36+12.55 EUR
Mindestbestellmenge: 36
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IR2113SPBF IR2113SPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-ir2110-datasheet-v01_00-en.pdf Driver 2-OUT High and Low Side 16-Pin SOIC W Tube
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IR2113SPBF IR2113SPBF Hersteller : Infineon Technologies infineondsvnaen.pdf Driver 2-OUT High Side/Low Side Non-Inv 16-Pin SOIC W Tube
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IR2113SPBF Hersteller : INFINEON IR2113SPBF.pdf Infineon--DS-vNA-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c80333167e Description: INFINEON - IR2113SPBF - IC, MOSFET-TREIBER, HIGH/LOW-SIDE SOIC16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 120ns
Ausgabeverzögerung: 94ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3419 Stücke:
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IR2110STRPBF
Produktcode: 45805
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description ir2110-56172.pdf
IR2110STRPBF
Hersteller: IR
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: SOIC-16
Uc, V: 600
I o +/-, A: 2/2
V out, V: 10-20
T on/T off, ns: 120/94
Роб.темп.,°С: -40…+125°C
auf Bestellung 15 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094
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description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 2357 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 200 Stück:
Anzahl Preis
1+1.5 EUR
10+1.45 EUR
100+1 EUR
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CRG40T60AN3H
Produktcode: 189198
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P020210520320339868480.pdf
CRG40T60AN3H
Hersteller: CRMICRO
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-3P
Vces: 600 V
Vce: 1,9 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 280 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 46,8/147,7
auf Bestellung 322 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 1526
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RC_series.pdf
10 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 10 Ohm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
verfügbar: 19874 Stück
3474 Stück - stock Köln
16400 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 30000 Stück
30000 Stück - erwartet
Anzahl Preis
10+0.005 EUR
100+0.0034 EUR
1000+0.0028 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LM339DT
Produktcode: 2064
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description en.CD00000460.pdf
LM339DT
Hersteller: ST
IC > IC Vergleicher
Gehäuse: SO-14
Beschreibung: 4xKomparator ±18 (36)V 1.1mA (КФ1401СА1)
Udss,V: ±18 V
Id,A: 0.004 А
Bemerkung: 0...+70°C
verfügbar: 619 Stück
26 Stück - stock Köln
593 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.22 EUR
10+0.17 EUR
100+0.13 EUR
1000+0.099 EUR
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