IR2113SPBF

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Infineon-IR2110-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c80333167e&redirId=119801 Infineon--DS-vNA-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c80333167e
Produktcode: 36565
Hersteller: IR
Gehäuse: SOIC-16
Uc, V: 600 V
I o +/-, A: 2 А
V out, V: 10-20 V
T on/T off, ns: 120/94 ns
Bemerkung: HIGH AND LOW SIDE DRIVER
Роб.темп.,°С: -40…+125°C
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Technische Details IR2113SPBF IR

  • DRIVER, MOSFET HIGH/LOW, SMD, 2113
  • Driver IC Type:High and Low Side
  • No. of Outputs:2
  • Output Voltage:620V
  • Output Current:2.5A
  • Power Dissipation Pd:1.25W
  • Min Supply Voltage:10V
  • Case Style:SOIC
  • No. of Pins:16
  • Operating Temperature Range:-40`C to +125`C
  • Base Number:2113
  • IC Generic Number:2113
  • Logic Function Number:2113
  • Max Operating Temperature:125`C
  • Max Output Voltage:20V
  • Max Supply Voltage:20V
  • Min Output Voltage:10V
  • Min Temperature Operating:-40`C
  • Offset Voltage:600V
  • Termination Type:SMD
  • Driver IC Case Style:SOIC
  • Min Output Sink Current:2000mA
  • Min Output Source Current:2000mA
  • Turn Off Time, t Off:94ns
  • Turn On Time, t On:120ns

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IR2113SPBF IR2113SPBF Hersteller : Infineon Technologies infineondsvnaen.pdf Driver 2-OUT High Side/Low Side Non-Inv 16-Pin SOIC W Tube
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IR2113SPBF IR2113SPBF Hersteller : Infineon Technologies infineondsvnaen.pdf Driver 2-OUT High Side/Low Side Non-Inv 16-Pin SOIC W Tube
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IR2113SPBF IR2113SPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IR2113SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16-W
Output current: -2...2A
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 145ns
Turn-off time: 111ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 69 Stücke:
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16+4.7 EUR
17+4.28 EUR
20+3.65 EUR
25+3.25 EUR
35+3.15 EUR
45+3.06 EUR
225+2.99 EUR
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IR2113SPBF IR2113SPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IR2113SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16-W
Output current: -2...2A
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 145ns
Turn-off time: 111ns
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IR2113SPBF IR2113SPBF Hersteller : Infineon Technologies infineondsvnaen.pdf Driver 2-OUT High Side/Low Side Non-Inv 16-Pin SOIC W Tube
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35+4 EUR
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IR2113SPBF IR2113SPBF Hersteller : Infineon Technologies infineondsvnaen.pdf Driver 2-OUT High Side/Low Side Non-Inv 16-Pin SOIC W Tube
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31+4.55 EUR
35+3.89 EUR
50+3.7 EUR
100+3.28 EUR
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IR2113SPBF IR2113SPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IR2110_DataSheet_v01_00_EN.pdf Gate Drivers HI LO SIDE DRVR 600V 2A 120ns
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100+4.21 EUR
250+4.05 EUR
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IR2113SPBF IR2113SPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IR2110-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c80333167e&redirId=119801 Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 3.3V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 25ns, 17ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 9.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
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3+6.79 EUR
10+5.16 EUR
45+4.54 EUR
135+4.22 EUR
270+4.07 EUR
540+3.94 EUR
1035+3.84 EUR
2520+3.73 EUR
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IR2113SPBF IR2113SPBF Hersteller : International Rectifier Infineon--DS-vNA-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c80333167e Description: IR2113 - GATE DRIVER
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
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Anzahl Preis
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Mindestbestellmenge: 36
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IR2113SPBF IR2113SPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-ir2110-datasheet-v01_00-en.pdf Driver 2-OUT High and Low Side 16-Pin SOIC W Tube
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IR2113SPBF IR2113SPBF Hersteller : INFINEON Infineon-IR2110-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c80333167e&redirId=119801 Infineon--DS-vNA-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c80333167e Description: INFINEON - IR2113SPBF - Treiber-IC, 2fach, High- & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 2.5Aout, 94ns Verzögerung, SOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 120ns
Ausgabeverzögerung: 94ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IR2110STRPBF
Produktcode: 45805
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description ir2110-56172.pdf
IR2110STRPBF
Hersteller: IR
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: SO-16
Uc, V: 600
I o +/-, A: 2/2
V out, V: 10-20
T on/T off, ns: 120/94
Роб.темп.,°С: -40…+125°C
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 100 Stück
100 Stück - erwartet 06.12.2025
Anzahl Preis
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094
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description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 4318 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 111 Stück:
Anzahl Preis
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10+1.45 EUR
100+1 EUR
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CRG40T60AN3H
Produktcode: 189198
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P020210520320339868480.pdf
CRG40T60AN3H
Hersteller: CRMICRO
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-3P
Vces: 600 V
Vce: 1,9 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 280 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 46,8/147,7
auf Bestellung 384 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
3,3nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (C0805B332K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 3482
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X7R_X5R.pdf
3,3nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (C0805B332K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 3,3nF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0805
№ 7: 8532240000
verfügbar: 9674 Stück
1200 Stück - stock Köln
8474 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
10+0.03 EUR
100+0.0086 EUR
1000+0.0069 EUR
10000+0.0063 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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100uF 25V EHR 6,3x11mm (EHR101M25B-Hitano)
Produktcode: 6694
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EHR_081225.pdf
100uF 25V EHR 6,3x11mm (EHR101M25B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 100uF
Nennspannung: 25V
Reihe: EHR
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 6x11mm
Lebensdauer: 6х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 11611 Stück
1984 Stück - stock Köln
9627 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 100 Stück
Anzahl Preis
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10+0.03 EUR
100+0.02 EUR
1000+0.019 EUR
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