IR2113SPBF

IR2113SPBF


Infineon-IR2110-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c80333167e&redirId=119801 Infineon--DS-vNA-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c80333167e
Produktcode: 36565
Hersteller: IR
Gehäuse: SO-16
Uc, V: 600 V
I o +/-, A: 2 А
V out, V: 10-20 V
T on/T off, ns: 120/94 ns
Bemerkung: HIGH AND LOW SIDE DRIVER
Роб.темп.,°С: -40…+125°C
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Technische Details IR2113SPBF IR

  • DRIVER, MOSFET HIGH/LOW, SMD, 2113
  • Driver IC Type:High and Low Side
  • No. of Outputs:2
  • Output Voltage:620V
  • Output Current:2.5A
  • Power Dissipation Pd:1.25W
  • Min Supply Voltage:10V
  • Case Style:SOIC
  • No. of Pins:16
  • Operating Temperature Range:-40`C to +125`C
  • Base Number:2113
  • IC Generic Number:2113
  • Logic Function Number:2113
  • Max Operating Temperature:125`C
  • Max Output Voltage:20V
  • Max Supply Voltage:20V
  • Min Output Voltage:10V
  • Min Temperature Operating:-40`C
  • Offset Voltage:600V
  • Termination Type:SMD
  • Driver IC Case Style:SOIC
  • Min Output Sink Current:2000mA
  • Min Output Source Current:2000mA
  • Turn Off Time, t Off:94ns
  • Turn On Time, t On:120ns

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IR2113SPBF IR2113SPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-ir2110-datasheet-v01_00-en.pdf Driver 2-OUT High Side/Low Side Non-Inv 16-Pin SOIC W Tube
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auf Bestellung 458 Stücke:
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41+3.65 EUR
49+2.83 EUR
50+2.69 EUR
100+2.56 EUR
250+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 41
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Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
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36+4.03 EUR
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35+4.26 EUR
50+3.55 EUR
200+3.21 EUR
500+2.72 EUR
1000+2.53 EUR
1980+2.33 EUR
7920+2.01 EUR
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127+4.40 EUR
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32+4.68 EUR
45+4.17 EUR
135+3.74 EUR
270+3.46 EUR
540+3.22 EUR
1000+3.01 EUR
1035+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 32
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32+4.70 EUR
42+3.40 EUR
43+3.24 EUR
50+3.08 EUR
100+2.93 EUR
250+2.71 EUR
500+2.41 EUR
Mindestbestellmenge: 32
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42+3.27 EUR
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Mindestbestellmenge: 32
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IR2113SPBF IR2113SPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IR2113SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Turn-on time: 145ns
Turn-off time: 111ns
Output current: -2...2A
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 2
Kind of package: tube
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Voltage class: 600V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Case: SO16-W
Power: 1.25W
Supply voltage: 10...20V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 267 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.78 EUR
17+4.29 EUR
22+3.29 EUR
24+3.10 EUR
Mindestbestellmenge: 15
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IR2113SPBF IR2113SPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IR2113SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Turn-on time: 145ns
Turn-off time: 111ns
Output current: -2...2A
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 2
Kind of package: tube
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Voltage class: 600V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Case: SO16-W
Power: 1.25W
Supply voltage: 10...20V DC
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17+4.29 EUR
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24+3.10 EUR
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IR2113SPBF IR2113SPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IR2110_DataSheet_v01_00_EN-3362777.pdf Gate Drivers HI LO SIDE DRVR 600V 2A 120ns
auf Bestellung 2341 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.44 EUR
10+4.51 EUR
100+4.24 EUR
250+4.12 EUR
500+4.07 EUR
1980+4.05 EUR
5940+4.03 EUR
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Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 3.3V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 25ns, 17ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 9.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 6769 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+7.25 EUR
10+5.51 EUR
45+4.85 EUR
135+4.51 EUR
270+4.34 EUR
540+4.21 EUR
1035+4.10 EUR
2520+3.99 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 120ns
Ausgabeverzögerung: 94ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IR2110STRPBF
Produktcode: 45805
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description ir2110-56172.pdf
IR2110STRPBF
Hersteller: IR
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: SO-16
Uc, V: 600
I o +/-, A: 2/2
V out, V: 10-20
T on/T off, ns: 120/94
Роб.темп.,°С: -40…+125°C
auf Bestellung 106 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+1.68 EUR
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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094
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description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 5975 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+1.50 EUR
10+1.45 EUR
100+1.00 EUR
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CRG40T60AN3H
Produktcode: 189198
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P020210520320339868480.pdf
CRG40T60AN3H
Hersteller: CRMICRO
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-3P
Vces: 600 V
Vce: 1,9 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 280 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 46,8/147,7
auf Bestellung 350 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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3,3nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (C0805B332K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 3482
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X7R_X5R.pdf
3,3nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (C0805B332K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 3,3nF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0805
№ 7: 8532240000
verfügbar: 1962 Stück
1200 Stück - stock Köln
762 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 8000 Stück
8000 Stück - erwartet
Anzahl Preis
10+0.03 EUR
100+0.01 EUR
1000+0.01 EUR
10000+0.01 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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100uF 25V EHR 6,3x11mm (EHR101M25B-Hitano)
Produktcode: 6694
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EHR_081225.pdf
100uF 25V EHR 6,3x11mm (EHR101M25B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 100uF
Nennspannung: 25V
Reihe: EHR
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 6x11mm
Lebensdauer: 6х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 10608 Stück
1984 Stück - stock Köln
8624 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.04 EUR
10+0.03 EUR
100+0.02 EUR
1000+0.02 EUR
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