IR2117SPBF Infineon Technologies
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| 1427+ | 1.23 EUR |
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Technische Details IR2117SPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IR2117SPBF - MOSFET-IC, High-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 500mAout, 105ns Verzögerung, SOIC-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 500mA, Treiberkonfiguration: High-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Nicht invertierend, MSL: MSL 2 - 1 Jahr, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 250mA, Versorgungsspannung, min.: 10V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 125ns, Ausgabeverzögerung: 105ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IR2117SPBF nach Preis ab 0.90 EUR bis 3.31 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IR2117SPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Driver 600V 1-OUT High Side/Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube |
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IR2117SPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Driver 600V 1-OUT High Side/Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube |
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IR2117SPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Driver 600V 1-OUT High Side/Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube |
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IR2117SPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Driver 600V 1-OUT High Side/Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube |
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IR2117SPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Driver 600V 1-OUT High Side/Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube |
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IR2117SPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 40ns Channel Type: Single Driven Configuration: High-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 9.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
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IR2117SPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Gate Drivers 1 HI SIDE DRVR NONINVERTING INPUT |
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IR2117SPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IR2117SPBF - MOSFET-IC, High-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 500mAout, 105ns Verzögerung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 500mA Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 250mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 125ns Ausgabeverzögerung: 105ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IR2117SPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Driver 600V 0.5A 1-OUT High Side/Low Side 8-Pin SOIC N Tube |
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IR2117SPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Driver 600V 1-OUT High Side/Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube |
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IR2117SPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SO8; 625mW Type of integrated circuit: driver Topology: single transistor Kind of integrated circuit: gate driver; high-side Case: SO8 Output current: -420...200mA Power: 625mW Number of channels: 1 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Voltage class: 600V Turn-on time: 125ns Turn-off time: 105ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IR2117SPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SO8; 625mW Type of integrated circuit: driver Topology: single transistor Kind of integrated circuit: gate driver; high-side Case: SO8 Output current: -420...200mA Power: 625mW Number of channels: 1 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Voltage class: 600V Turn-on time: 125ns Turn-off time: 105ns |
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