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IR21271STR UMW

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Hersteller: UMW
High+Low Side Non-Inverting MOSFET and IGBT Driver; Vmax 300V; Io+/Io- 300mA/600mA, tON/OFF 150/150ns; 8V~22V; -40°C ~ 125°C; Equivalent: IR21271S; IR21271STR; IR21271STR UMW UIIR21271s UMW
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Technische Details IR21271STR UMW

Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Voltage - Supply: 9V ~ 20V, Input Type: Non-Inverting, High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V, Supplier Device Package: 8-SOIC, Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 40ns, Channel Type: Single, Driven Configuration: High-Side, Low-Side, Number of Drivers: 1, Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel), Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V, Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA, Part Status: Obsolete, DigiKey Programmable: Not Verified.

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IR21271STR

UMW

High+Low Side Non-Inverting MOSFET and IGBT Driver; Vmax 300V; Io+/Io- 300mA/600mA, tON/OFF 150/150ns; 8V~22V; -40°C ~ 125°C; Equivalent: IR21271S; IR21271STR; IR21271STR UMW UIIR21271s UMW
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