IR21531STR JSMSEMI
Hersteller: JSMSEMI
High+Low Side MOSFET and IGBT Driver; Half-Bridge; Self Oscillating; Vmax 600V; Io+/Io- 1A/1,3A; tD 0,6 µs; 12,5V~15,6V; -40°C ~ 125°C; Equivalent: IR21531S; IR21531STR; SP001539932; IR21531STR JSMICRO UIIR21531s JSM
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 20+ | 1.89 EUR |
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Technische Details IR21531STR JSMSEMI
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ), Voltage - Supply: 10V ~ 15.6V, Input Type: RC Input Circuit, High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V, Supplier Device Package: 8-SOIC, Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 45ns, Channel Type: Synchronous, Driven Configuration: Half-Bridge, Number of Drivers: 2, Gate Type: MOSFET (N-Channel), Part Status: Obsolete, DigiKey Programmable: Not Verified.
Weitere Produktangebote IR21531STR nach Preis ab 2.89 EUR bis 2.89 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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| IR21531STR | International Rectifier |
High+Low Side MOSFET and IGBT Driver; Half-Bridge; Self Oscillating; Vmax 600V; Io+/Io- 250mA/400mA; tD 0,6 µs; 10V~15,6V; -40°C ~ 125°C; Equivalent: IR21531S; IR21531STR; IR21531S UIIR21531s Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
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| IR21531STR |
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Hersteller: International Rectifier
High+Low Side MOSFET and IGBT Driver; Half-Bridge; Self Oscillating; Vmax 600V; Io+/Io- 250mA/400mA; tD 0,6 µs; 10V~15,6V; -40°C ~ 125°C; Equivalent: IR21531S; IR21531STR; IR21531S UIIR21531s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
High+Low Side MOSFET and IGBT Driver; Half-Bridge; Self Oscillating; Vmax 600V; Io+/Io- 250mA/400mA; tD 0,6 µs; 10V~15,6V; -40°C ~ 125°C; Equivalent: IR21531S; IR21531STR; IR21531S UIIR21531s
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| 10+ | 2.89 EUR |
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