IR2181SPBF

IR2181SPBF Infineon Technologies


infineon-ir2181-datasheet-v01_00-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
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Technische Details IR2181SPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IR2181SPBF - MOSFET-Treiber, 2fach, High-Side & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 2.3Aout, 220ns, SOIC-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 2.3A, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Nicht invertierend, MSL: MSL 2 - 1 Jahr, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 1.9A, Versorgungsspannung, min.: 10V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 180ns, Ausgabeverzögerung: 220ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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IR2181SPBF IR2181SPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-ir2181-datasheet-v01_00-en.pdf Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
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IR2181SPBF IR2181SPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IR2181_DataSheet_v01_00_EN-3362766.pdf Gate Drivers High Low Side DRVR 600V 10 to 20V
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IR2181SPBF IR2181SPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E2EFD34A5F1A6F5005056AB5A8F&compId=ir2181.pdf?ci_sign=c5a6339eac545a9ba06e6dda4e6c0792928b2542 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 0.22µs
Protection: undervoltage UVP
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
15+4.93 EUR
21+3.49 EUR
22+3.30 EUR
95+3.29 EUR
Mindestbestellmenge: 15
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IR2181SPBF IR2181SPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E2EFD34A5F1A6F5005056AB5A8F&compId=ir2181.pdf?ci_sign=c5a6339eac545a9ba06e6dda4e6c0792928b2542 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 0.22µs
Protection: undervoltage UVP
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IR2181SPBF IR2181SPBF Hersteller : Infineon Technologies ir2181.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c93cdd16ce Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 40ns, 20ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.9A, 2.3A
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
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10+3.98 EUR
95+3.31 EUR
190+3.18 EUR
285+3.12 EUR
570+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IR2181SPBF IR2181SPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-ir2181-datasheet-v01_00-en.pdf Driver 600V 2.3A 2-OUT High and Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
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tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 180ns
Ausgabeverzögerung: 220ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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