IR2233SPBF Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDriver 6-OUT High Side/Low Side 3-Phase Brdg Inv 28-Pin SOIC W Tube
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Technische Details IR2233SPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IR2233SPBF - MOSFET-Treiber, Drehstrombrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 500mA und 70Rout, SOIC-28, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 500mA, Treiberkonfiguration: Drehstrombrücke, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC, Eingang: Invertierend, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 6Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -, Quellstrom: 250mA, Versorgungsspannung, min.: 10V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 28Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 750ns, Ausgabeverzögerung: 700ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IR2233SPBF nach Preis ab 6.24 EUR bis 10.37 EUR
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IR2233SPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Driver 6-OUT High Side/Low Side 3-Phase Brdg Inv 28-Pin SOIC W Tube |
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IR2233SPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC Packaging: Tube Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 125°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 1200 V Supplier Device Package: 28-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 90ns, 40ns Channel Type: 3-Phase Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 6 Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2V Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
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IR2233SPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Gate Drivers 1200V 3-Phase,0.5A OCP, OPAMP, FAULT,SD |
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IR2233SPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IR2233SPBF - MOSFET-Treiber, Drehstrombrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 500mA und 70Rout, SOIC-28 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 500mA Treiberkonfiguration: Drehstrombrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: Invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 6Kanäle Betriebstemperatur, min.: - Quellstrom: 250mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 28Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 750ns Ausgabeverzögerung: 700ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IR2233SPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Driver 1.2KV 0.5A 6-OUT High and Low Side 3-Phase Brdg Inv 28-Pin SOIC W Tube |
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IR2233SPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Driver 6-OUT High Side/Low Side 3-Phase Brdg Inv 28-Pin SOIC W Tube |
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IR2233SPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Driver 6-OUT High Side/Low Side 3-Phase Brdg Inv 28-Pin SOIC W Tube |
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IR2233SPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge Operating temperature: -40...125°C Supply voltage: 10...20V DC Turn-on time: 750ns Turn-off time: 700ns Output current: -420...200mA Type of integrated circuit: driver Number of channels: 6 Kind of package: tube Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge Voltage class: 1.2kV Mounting: SMD Case: SO28-W Power: 1.6W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IR2233SPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge Operating temperature: -40...125°C Supply voltage: 10...20V DC Turn-on time: 750ns Turn-off time: 700ns Output current: -420...200mA Type of integrated circuit: driver Number of channels: 6 Kind of package: tube Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge Voltage class: 1.2kV Mounting: SMD Case: SO28-W Power: 1.6W |
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