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IRF100B202

irf100b202-1228203.pdf
Produktcode: 167969
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Hersteller:
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 97 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 8,6 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4476/77
Montage: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF100B202 IRF100B202 Infineon Technologies infineonirf100b202datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRF100B202 IRF100B202 Infineon Technologies infineonirf100b202datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
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1000+1.27 EUR
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IRF100B202 IRF100B202 Infineon Technologies infineonirf100b202datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3393 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+2.48 EUR
71+2.42 EUR
101+1.64 EUR
500+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
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IRF100B202 IRF100B202 Infineon Technologies infineonirf100b202datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
253+2.56 EUR
500+2.26 EUR
1000+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 253 Stücke
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IRF100B202 IRF100B202 Infineon Technologies infineonirf100b202datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2536 Stücke:
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253+2.56 EUR
500+2.26 EUR
1000+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 253 Stücke
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IRF100B202 IRF100B202 Infineon Technologies infineonirf100b202datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 265 Stücke:
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253+2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 253 Stücke
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IRF100B202 IRF100B202 Infineon Technologies infineonirf100b202datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.51 EUR
73+2.27 EUR
102+1.59 EUR
500+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRF100B202 IRF100B202 Infineon Technologies infineonirf100b202datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3100 Stücke:
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50+3.51 EUR
73+2.19 EUR
102+1.51 EUR
500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRF100B202 IRF100B202 Infineon Technologies infineonirf100b202datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+3.83 EUR
70+2.39 EUR
71+2.27 EUR
101+1.52 EUR
500+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
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IRF100B202 IRF100B202 Infineon Technologies irf100b202.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da4ec9187e Description: MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4476 pF @ 50 V
auf Bestellung 1395 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.57 EUR
10+3.61 EUR
50+2.76 EUR
100+2.49 EUR
500+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IRF100B202 IRF100B202 Infineon Technologies irf100b202.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da4ec9187e MOSFETs IR FET >60-400V
auf Bestellung 1860 Stücke:
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1+5.59 EUR
10+2.78 EUR
100+2.51 EUR
500+2.03 EUR
1000+1.8 EUR
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IRF100B202 IRF100B202 INFINEON INFN-S-A0012732550-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF100B202 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 7200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 221W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
auf Bestellung 904 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+6.88 EUR
73+3.2 EUR
100+2.65 EUR
500+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
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IRF100B202 IRF100B202 INFINEON TECHNOLOGIES IRF100B202.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 221W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 221W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF100B202 infineonirf100b202datasheetv0101en.pdf
IRF100B202
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRF100B202
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRF100B202 infineonirf100b202datasheetv0101en.pdf
IRF100B202
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3393 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
70+2.48 EUR
71+2.42 EUR
101+1.64 EUR
500+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
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IRF100B202
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
253+2.56 EUR
500+2.26 EUR
1000+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 253 Stücke
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IRF100B202 infineonirf100b202datasheetv0101en.pdf
IRF100B202
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2536 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
253+2.56 EUR
500+2.26 EUR
1000+2.05 EUR
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IRF100B202
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 265 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
253+2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 253 Stücke
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IRF100B202
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+3.51 EUR
73+2.27 EUR
102+1.59 EUR
500+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRF100B202
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Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+3.51 EUR
73+2.19 EUR
102+1.51 EUR
500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRF100B202 infineonirf100b202datasheetv0101en.pdf
IRF100B202
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
45+3.83 EUR
70+2.39 EUR
71+2.27 EUR
101+1.52 EUR
500+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
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IRF100B202
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4476 pF @ 50 V
auf Bestellung 1395 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
4+5.57 EUR
10+3.61 EUR
50+2.76 EUR
100+2.49 EUR
500+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET >60-400V
auf Bestellung 1860 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.59 EUR
10+2.78 EUR
100+2.51 EUR
500+2.03 EUR
1000+1.8 EUR
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IRF100B202
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF100B202 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 7200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 221W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
auf Bestellung 904 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
37+6.88 EUR
73+3.2 EUR
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500+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 221W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 221W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH