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IRF100B202

IRF100B202

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Produktcode: 167969
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Hersteller:
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 97 A
Rds(on), Ohm: 8,6 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4476/77
JHGF: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRF100B202 IRF100B202 Infineon Technologies infineonirf100b202datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 396 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
143+1.02 EUR
163+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 143 Stücke
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IRF100B202 IRF100B202 Infineon Technologies infineonirf100b202datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.05 EUR
2000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRF100B202 IRF100B202 Infineon Technologies infineonirf100b202datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
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IRF100B202 IRF100B202 Infineon Technologies infineonirf100b202datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
118+1.24 EUR
144+0.98 EUR
163+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 118 Stücke
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IRF100B202 IRF100B202 Infineon Technologies infineonirf100b202datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
346+1.59 EUR
500+1.41 EUR
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 346 Stücke
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IRF100B202 IRF100B202 Infineon Technologies infineonirf100b202datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2536 Stücke:
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346+1.59 EUR
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IRF100B202 IRF100B202 INFINEON TECHNOLOGIES IRF100B202.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 221W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 221W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
auf Bestellung 146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+2.26 EUR
41+1.77 EUR
46+1.57 EUR
61+1.19 EUR
100+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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IRF100B202 IRF100B202 Infineon Technologies irf100b202.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da4ec9187e Description: MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4476 pF @ 50 V
auf Bestellung 1629 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.33 EUR
10+2.13 EUR
100+1.45 EUR
500+1.16 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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IRF100B202 IRF100B202 Infineon Technologies Infineon_IRF100B202_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs IR FET >60-400V
auf Bestellung 1884 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.77 EUR
10+2.32 EUR
100+1.65 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.27 EUR
2000+1.15 EUR
5000+1.12 EUR
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IRF100B202 IRF100B202 INFINEON INFN-S-A0012732550-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF100B202 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 7200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 221W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
auf Bestellung 934 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF100B202
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 396 Stücke:
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AnzahlPreis
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IRF100B202
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF100B202
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 221W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 221W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
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41+1.77 EUR
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61+1.19 EUR
100+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4476 pF @ 50 V
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AnzahlPreis
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10+2.13 EUR
100+1.45 EUR
500+1.16 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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MOSFETs IR FET >60-400V
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AnzahlPreis
1+3.77 EUR
10+2.32 EUR
100+1.65 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.27 EUR
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IRF100B202
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF100B202 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 7200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 221W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
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