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IRF100B202

irf100b202-1228203.pdf
Produktcode: 167969
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Hersteller:
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 97 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 8,6 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4476/77
Montage: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF100B202 IRF100B202 Infineon Technologies infineonirf100b202datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 396 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
144+1.23 EUR
164+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 144 Stücke
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IRF100B202 IRF100B202 Infineon Technologies infineonirf100b202datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.26 EUR
2000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRF100B202 IRF100B202 Infineon Technologies infineonirf100b202datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
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1000+1.26 EUR
2000+1.14 EUR
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IRF100B202 IRF100B202 Infineon Technologies infineonirf100b202datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
119+1.49 EUR
145+1.18 EUR
165+1 EUR
Mindestbestellmenge: 119 Stücke
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IRF100B202 IRF100B202 Infineon Technologies infineonirf100b202datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Mindestbestellmenge: 119 Stücke
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IRF100B202 IRF100B202 Infineon Technologies infineonirf100b202datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
346+1.9 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 346 Stücke
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IRF100B202 IRF100B202 Infineon Technologies infineonirf100b202datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2536 Stücke:
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500+1.69 EUR
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IRF100B202 IRF100B202 INFINEON TECHNOLOGIES IRF100B202.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 221W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 221W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
auf Bestellung 146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+2.69 EUR
41+2.11 EUR
46+1.87 EUR
61+1.42 EUR
100+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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IRF100B202 IRF100B202 Infineon Technologies irf100b202.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da4ec9187e Description: MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4476 pF @ 50 V
auf Bestellung 1629 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.96 EUR
10+2.53 EUR
100+1.73 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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IRF100B202 IRF100B202 Infineon Technologies Infineon_IRF100B202_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs IR FET >60-400V
auf Bestellung 1884 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.49 EUR
10+2.76 EUR
100+1.96 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.46 EUR
2000+1.37 EUR
5000+1.33 EUR
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IRF100B202 IRF100B202 INFINEON INFN-S-A0012732550-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF100B202 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 7200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 221W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
auf Bestellung 934 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+4.82 EUR
82+2.86 EUR
119+1.8 EUR
500+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
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IRF100B202
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 396 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
144+1.23 EUR
164+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 144 Stücke
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IRF100B202
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1000+1.26 EUR
2000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRF100B202 infineonirf100b202datasheetv0101en.pdf
IRF100B202
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1000+1.26 EUR
2000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRF100B202
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
119+1.49 EUR
145+1.18 EUR
165+1 EUR
Mindestbestellmenge: 119 Stücke
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IRF100B202 infineonirf100b202datasheetv0101en.pdf
IRF100B202
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3100 Stücke:
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IRF100B202
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2450 Stücke:
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346+1.9 EUR
500+1.69 EUR
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Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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500+1.69 EUR
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IRF100B202
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 221W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 221W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
auf Bestellung 146 Stücke:
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32+2.69 EUR
41+2.11 EUR
46+1.87 EUR
61+1.42 EUR
100+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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IRF100B202
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4476 pF @ 50 V
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AnzahlPrivatkunde
6+3.96 EUR
10+2.53 EUR
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500+1.38 EUR
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET >60-400V
auf Bestellung 1884 Stücke:
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1+4.49 EUR
10+2.76 EUR
100+1.96 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.46 EUR
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IRF100B202
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF100B202 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 7200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 221W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
auf Bestellung 934 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
52+4.82 EUR
82+2.86 EUR
119+1.8 EUR
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Mindestbestellmenge: 52 Stücke
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