IRF100B202
Produktcode: 167969
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Lieblingsprodukt
Hersteller:
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 97 A
Rds(on), Ohm: 8,6 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4476/77
JHGF: THT
Produktrezensionen
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Weitere Produktangebote IRF100B202 nach Preis ab 0.81 EUR bis 3.33 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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IRF100B202 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 2796 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF100B202 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1284 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF100B202 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 2450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF100B202 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 818 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF100B202 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 2800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF100B202 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 3100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF100B202 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
auf Bestellung 1939 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF100B202 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 221W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4476 pF @ 50 V |
auf Bestellung 1629 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF100B202 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF100B202 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 7200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 97A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 221W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 938 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF100B202 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRF100B202 | Hersteller : Infineon |
MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |