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IRF1010E

Produktcode: 24949
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 84 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,012 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3210/130
Montage: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF1010E IRF1010E International Rectifier TIRF1010_JSM_JSMSEMI_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010E TIRF1010
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 185 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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IRF1010E TIRF1010_JSM_JSMSEMI_0001.pdf
IRF1010E
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010E TIRF1010
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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