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IRF1010E

Produktcode: 24949
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 84
Rds(on), Ohm: 01.12.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 3210/130
JHGF: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRF1010E IRF1010E Hersteller : JSMicro Semiconductor TIRF1010_JSM_JSMSEMI_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1010E; SP001569818; IRF1010E JSMICRO TIRF1010 JSM
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IRF1010E IRF1010E Hersteller : JSMicro Semiconductor TIRF1010_JSM_JSMSEMI_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1010E; SP001569818; IRF1010E JSMICRO TIRF1010 JSM
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IRF1010E IRF1010E Hersteller : International Rectifier TIRF1010_JSM_JSMSEMI_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010E TIRF1010
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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IRF1010E IRF1010E Hersteller : Infineon / IR Infineon_IRF1010E_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs
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