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IRF1010EPBF

Name: IRF1010EPBF
Brand: IR
SKU: 72223
Price: 0.68 EUR
Availability: InStock

irf1010epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da5fa41883

Produktcode: 72223

Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 84
Rds(on), Ohm: 12 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3210
JHGF: THT

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Technische Details IRF1010EPBF IR

MOSFET, N, 60V, 81A, TO-220
Transistor Type:MOSFET
Transistor Polarity:N
Typ Voltage Vds:60V
Cont Current Id:81A
On State Resistance:0.012ohm
Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Typ Voltage Vgs th:4V
Case Style:TO-220AB
Termination Type:Through Hole
Current Temperature:25`C
Full Power Rating Temperature:25`C
Junction to Case Thermal Resistance A:0.9`C/W
Lead Spacing:2.54mm
Max Voltage Vds:60V
No. of Pins:3
No. of Transistors:1
On State resistance @ Vgs = 10V:0.012ohm
Pin Format:1 g
2 d/tab
3 s
Power Dissipation:170W
Power Dissipation Pd:170W
Pulse Current Idm:330A
Transistor Case Style:TO-220AB

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Bezeichnung

Hersteller

Beschreibung

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IRF1010EPBF

Hersteller : Infineon Technologies

infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf

Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRF1010EPBF

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IRF1010EPBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

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IRF1010EPBF

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IRF1010EPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 84A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V

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IRF1010EPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Infineon_IRF1010E_DataSheet_v01_01_EN-3362725.pdf

MOSFETs MOSFT 60V 81A 12mOhm 86.6nC

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1000+	1.02 EUR
2000+	1.00 EUR
5000+	0.99 EUR

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IRF1010EPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRF1010EPBF

Hersteller : INFINEON

IRSDS11091-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRF1010EPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 81 A, 0.012 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

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IRF1010EPBF

Hersteller : Infineon Technologies

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Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRF1010EPBF

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Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRF1010EPBF

Hersteller : International Rectifier Corporation

TO-220

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Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT

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Eigenschaften: PWM Controllers
Spannung, eing., V: 7...40V
I-ausg., A: 200 mA
Fosc, kHz: 300
Temperaturbereich: 0...+70°C

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Hersteller: TI
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Gehäuse: DIP-14
Beschreibung: Anzahl Kanale: 4; U-Strom, V: ±18; tз, нс: 300; Typ-Ausgang: OK; Uсм, мV: 7; I-verbr., mA: 2;
Udss,V: ±18 V
Id,A: 0.006 A
Bemerkung: -40...+125°C

verfügbar: 142 Stück

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