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IRF1010EPBF

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Produktcode: 72223
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 84
Rds(on), Ohm: 12 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3210
JHGF: THT
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Technische Details IRF1010EPBF IR

  • MOSFET, N, 60V, 81A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:60V
  • Cont Current Id:81A
  • On State Resistance:0.012ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:TO-220AB
  • Termination Type:Through Hole
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Junction to Case Thermal Resistance A:0.9`C/W
  • Lead Spacing:2.54mm
  • Max Voltage Vds:60V
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • On State resistance @ Vgs = 10V:0.012ohm
  • Pin Format:1 g
  • 2 d/tab
  • 3 s
  • Power Dissipation:170W
  • Power Dissipation Pd:170W
  • Pulse Current Idm:330A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRF1010EPBF IRF1010EPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7341pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1010EPBF IRF1010EPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf1010e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRF1010EPBF IRF1010EPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF1010E_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 60V 81A 12mOhm 86.6nC
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IRF1010EPBF IRF1010EPBF Hersteller : Infineon Technologies irf1010epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da5fa41883 Description: MOSFET N-CH 60V 84A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
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IRF1010EPBF IRF1010EPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7341pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1010EPBF IRF1010EPBF Hersteller : INFINEON IRSDS11091-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1010EPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 81 A, 0.012 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IRF1010EPBF Hersteller : International Rectifier irf1010epbf.pdf TO-220 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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IRF1010EPBF Hersteller : International Rectifier/Infineon irf1010epbf_IR.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 84 А, Ptot, Вт = 200, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 3210 @ 25, Qg, нКл = 130 @ 10 В, Rds = 12 мОм @ 50 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220AB О
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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Eigenschaften: DC/DC Switching 2Ausgang
Spannung, eing., V: 40V
I-ausg., A: 500mA
Fosc, kHz: 430
Temperaturbereich: 0...+70°C
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Предохранитель 3,6x10mm 2А 250VAC с выводами (KLS5-1009-2000)
Hersteller: KLS
Sicherungen > Schmelzsicherungen
Funktionsbeschreibung: Запобіжник плавкий з аксіальними виводами у склі 2А 250В 3,6х10мм
Nennstrom, А: 2 А
Größe: 3,6x10 mm; dвив. = 0,6 mm
Bemerkung: З виводами
Матеріал корпуса: Скло
Номінальна напруга: 250 VAC
Швидкодія: Повільний
auf Bestellung 172 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 2000 St.:
2000 St. - erwartet 20.05.2026
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Прокладка силиконовая TO-220 13x18x0,3mm (Sili.TO220 13*18mm(0.3mm) )
Produktcode: 123772
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Прокладка силиконовая TO-220 13x18x0,3mm (Sili.TO220 13*18mm(0.3mm) )
Isoliermaterialien
Gruppe: Прокладка теплопровідна
Beschreibung: Розміри: 13x18x0.3mm з отвором Ø3mm, -60 + 180 ° C, 1, 22W
Größe: 13х18х0,3мм
Матеріал: Силікон
білий
auf Bestellung 16927 St.:
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