IRF1010EPBF

IRF1010EPBF

Produktcode: 72223
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 84
Rds(on), Ohm: 12 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3210

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Technische Details IRF1010EPBF

  • MOSFET, N, 60V, 81A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:60V
  • Cont Current Id:81A
  • On State Resistance:0.012ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:TO-220AB
  • Termination Type:Through Hole
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Junction to Case Thermal Resistance A:0.9`C/W
  • Lead Spacing:2.54mm
  • Max Voltage Vds:60V
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • On State resistance @ Vgs = 10V:0.012ohm
  • Pin Format:1 g
  • 2 d/tab
  • 3 s
  • Power Dissipation:170W
  • Power Dissipation Pd:170W
  • Pulse Current Idm:330A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

Preis IRF1010EPBF ab 0.64 EUR bis 3.48 EUR

IRF1010EPBF
Hersteller: Rochester Electronics, LLC
Description: IRF1010E - 20V-30V N-CHANNEL POW
Manufacturer: International Rectifier
Package / Case: TO-220-3
Supplier Device Package: TO-220AB
Mounting Type: Through Hole
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3.21pF @ 25V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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IRF1010EPBF
Hersteller: INFIN

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IRF1010EPBF
Hersteller: Infineon / IR
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IRF1010EPBF
IRF1010EPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 84A TO220AB
Package / Case: TO-220-3
Supplier Device Package: TO-220AB
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210pF @ 25V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Tube
Manufacturer: Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Base Part Number: IRF1010
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IRF1010EPBF
IRF1010EPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1010EPBF
IRF1010EPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1010EPBF - Power MOSFET, N Channel, 60 V, 81 A, 0.012 ohm, TO-220AB, Through Hole
Transistor Polarity: N Channel
On Resistance Rds(on): 0.012
Product Range: -
Power Dissipation Pd: 170
Continuous Drain Current Id: 81
Operating Temperature Max: 175
Transistor Mounting: Through Hole
MSL: -
Automotive Qualification Standard: -
Threshold Voltage Vgs: 4
Drain Source Voltage Vds: 60
Transistor Case Style: TO-220AB
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10
No. of Pins: 3
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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IRF1010EPBF
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IRF1010EPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Material: IRF1010EPBF THT N channel transistors
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