IRF1010EPBF
Produktcode: 72223
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 84
Rds(on), Ohm: 12 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3210
JHGF: THT
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.68 EUR |
| 10+ | 0.64 EUR |
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Technische Details IRF1010EPBF IR
- MOSFET, N, 60V, 81A, TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:60V
- Cont Current Id:81A
- On State Resistance:0.012ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Case Style:TO-220AB
- Termination Type:Through Hole
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Junction to Case Thermal Resistance A:0.9`C/W
- Lead Spacing:2.54mm
- Max Voltage Vds:60V
- No. of Pins:3
- No. of Transistors:1
- On State resistance @ Vgs = 10V:0.012ohm
- Pin Format:1 g
- 2 d/tab
- 3 s
- Power Dissipation:170W
- Power Dissipation Pd:170W
- Pulse Current Idm:330A
- Transistor Case Style:TO-220AB
Weitere Produktangebote IRF1010EPBF nach Preis ab 0.66 EUR bis 3.12 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IRF1010EPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1010EPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1010EPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 81A Power dissipation: 170W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: THT Gate charge: 86.6nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 384 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1010EPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1010EPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 9645 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1010EPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 725 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1010EPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1010EPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 9645 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1010EPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1010EPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 60V 81A 12mOhm 86.6nC |
auf Bestellung 2793 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF1010EPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 33 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF1010EPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF1010EPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1010EPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 81 A, 0.012 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 81A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 723 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF1010EPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 33 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRF1010EPBF | ![]() |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1000+ | 0.93 EUR |
| 2000+ | 0.89 EUR |
| IRF1010EPBF | ![]() |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1000+ | 0.93 EUR |
| 2000+ | 0.87 EUR |
| IRF1010EPBF | ![]() |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 384 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 66+ | 1.09 EUR |
| 76+ | 0.95 EUR |
| 101+ | 0.71 EUR |
| 108+ | 0.66 EUR |
| IRF1010EPBF | ![]() |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 113+ | 1.29 EUR |
| 114+ | 1.25 EUR |
| 132+ | 1.06 EUR |
| IRF1010EPBF | ![]() |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9645 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 104+ | 1.39 EUR |
| 105+ | 1.36 EUR |
| 124+ | 1.13 EUR |
| 500+ | 0.93 EUR |
| 1000+ | 0.84 EUR |
| 2000+ | 0.8 EUR |
| 5000+ | 0.75 EUR |
| IRF1010EPBF | ![]() |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 390+ | 1.39 EUR |
| 500+ | 1.23 EUR |
| IRF1010EPBF | ![]() |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 390+ | 1.39 EUR |
| IRF1010EPBF | ![]() |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9645 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 104+ | 1.4 EUR |
| 105+ | 1.33 EUR |
| 123+ | 1.09 EUR |
| 500+ | 0.89 EUR |
| 1000+ | 0.78 EUR |
| 2000+ | 0.72 EUR |
| 5000+ | 0.66 EUR |
| IRF1010EPBF | ![]() |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 91+ | 1.6 EUR |
| 100+ | 1.51 EUR |
| 250+ | 1.42 EUR |
| 500+ | 1.34 EUR |
| 1000+ | 1.27 EUR |
| IRF1010EPBF | ![]() |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 60V 81A 12mOhm 86.6nC
MOSFETs MOSFT 60V 81A 12mOhm 86.6nC
auf Bestellung 2793 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.12 EUR |
| 10+ | 1.72 EUR |
| 100+ | 1.39 EUR |
| 500+ | 1.12 EUR |
| 1000+ | 1.11 EUR |
| 2000+ | 1.03 EUR |
| 5000+ | 0.99 EUR |
| IRF1010EPBF | ![]() |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRF1010EPBF | ![]() |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRF1010EPBF | ![]() |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1010EPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 81 A, 0.012 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRF1010EPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 81 A, 0.012 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 723 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRF1010EPBF | ![]() |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
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| KA3525A (SG3525) Produktcode: 29981
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: Fairchild
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-16
Eigenschaften: DC/DC Switching 2Ausgang
Spannung, eing., V: 40V
I-ausg., A: 500mA
Fosc, kHz: 430
Temperaturbereich: 0...+70°C
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-16
Eigenschaften: DC/DC Switching 2Ausgang
Spannung, eing., V: 40V
I-ausg., A: 500mA
Fosc, kHz: 430
Temperaturbereich: 0...+70°C
auf Bestellung 66 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.84 EUR |
| IRF740PBF Produktcode: 162988
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 400 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/63
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 400 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/63
JHGF: THT
auf Bestellung 729 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRLB4132 Produktcode: 86447
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 30 V
Idd,A: 150 A
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 30 V
Idd,A: 150 A
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 49 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| Ladegeraet fuer Li-Po mit Schutz (TP4056 1A Lipo Battery Charging Board) Produktcode: 101154
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Lieblingsprodukt
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Netzteile und Ladegeräte > Зарядні модулі, балансири та BMS
Beschreibung: Ein 4.5-5.5V, Strom 1A, Schutz gegen Ueberlastung und Ueberladung
4,5...5,5 VDC
Maximaler Strom: 1 A
22x17x4 mm
Кількість елементів: 1
Gerätetyp: Зарядний модуль
Beschreibung: Ein 4.5-5.5V, Strom 1A, Schutz gegen Ueberlastung und Ueberladung
4,5...5,5 VDC
Maximaler Strom: 1 A
22x17x4 mm
Кількість елементів: 1
Gerätetyp: Зарядний модуль
auf Bestellung 1564 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| Предохранитель 3,6x10mm 2А 250VAC с выводами (KLS5-1009-2000) Produktcode: 115562
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: KLS
Sicherungen > Schmelzsicherungen
Funktionsbeschreibung: Запобіжник плавкий з аксіальними виводами у склі 2А 250В 3,6х10мм
Nennstrom, А: 2 А
Größe: 3,6x10 mm; dвив. = 0,6 mm
Bemerkung: З виводами
Матеріал корпуса: Скло
Номінальна напруга: 250 VAC
Швидкодія: Повільний
Sicherungen > Schmelzsicherungen
Funktionsbeschreibung: Запобіжник плавкий з аксіальними виводами у склі 2А 250В 3,6х10мм
Nennstrom, А: 2 А
Größe: 3,6x10 mm; dвив. = 0,6 mm
Bemerkung: З виводами
Матеріал корпуса: Скло
Номінальна напруга: 250 VAC
Швидкодія: Повільний
auf Bestellung 1916 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 100 St.:
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH








