IRF740PBF Siliconix

Produktcode: 162988
Hersteller: SiliconixUds,V: 400 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/63
JHGF: THT
auf Bestellung 1051 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRF740PBF Produktcode: 24032
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : IR |
![]() Gehäuse: TO-220 Uds,V: 400 Idd,A: 10 Rds(on), Ohm: 0.55 JHGF: THT |
verfügbar: 6 Stück
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IRF740PBF Produktcode: 181684
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : Китай |
![]() Gehäuse: TO-220 Uds,V: 400 V Idd,A: 10 A Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1400/63 JHGF: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF740PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 1977 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF740PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 1977 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF740PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 8806 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF740PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 8815 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF740PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF740PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF740PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 4050 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF740PBF | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 63nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Mounting: THT Case: TO220AB Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A On-state resistance: 0.55Ω Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 561 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF740PBF | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 63nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Mounting: THT Case: TO220AB Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A On-state resistance: 0.55Ω Type of transistor: N-MOSFET |
auf Bestellung 561 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF740PBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 10404 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF740PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V |
auf Bestellung 4437 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF740PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 2590 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF740PBF | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 4726 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF740PBF | Hersteller : Siliconix |
![]() Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF740PBF | Hersteller : Vishay |
![]() Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ Produktcode: 25094
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 5836 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 1.50 EUR |
10+ | 1.45 EUR |
100+ | 1.00 EUR |
NE555P IC Timer Produktcode: 26138
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Hersteller: TI
IC > IC Timer
Gehäuse: DIP-8
Beschreibung: Timer 1 Ausgang; 4.5...16V; 500 kHz
Temperaturbereich: 0...+70°C
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verfügbar: 2075 Stück
429 Stück - stock Köln
1646 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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Anzahl | Preis |
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1+ | 0.50 EUR |
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TL494CN Produktcode: 36468
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Hersteller: TI
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-16
Eigenschaften: PWM Controllers
Spannung, eing., V: 7...40V
I-ausg., A: 200 mA
Fosc, kHz: 300
Temperaturbereich: 0...+70°C
IC > IC Netzteile
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I-ausg., A: 200 mA
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verfügbar: 256 Stück
14 Stück - stock Köln
242 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
242 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis |
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1+ | 0.29 EUR |
10+ | 0.26 EUR |
1N4007 Produktcode: 176822
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
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Падіння напруги Vf: 1,1 V
auf Bestellung 52275 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
LM317T-DG Produktcode: 150592
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: ST
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: TO-220
Uin, V: 40 V
Uout,V: 1,2…37 V
Iout,A: 1,5 A
Udrop, V: 1,25 V
Bemerkung: Регульований
Temperaturbereich: 0…125°C
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: TO-220
Uin, V: 40 V
Uout,V: 1,2…37 V
Iout,A: 1,5 A
Udrop, V: 1,25 V
Bemerkung: Регульований
Temperaturbereich: 0…125°C
auf Bestellung 1435 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH