Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > IRF740PBF Siliconix

IRF740PBF Siliconix

91054.pdf
Produktcode: 162988
Hersteller: Siliconix
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 400 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/63
JHGF: THT
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IRF740PBF IRF740PBF
Produktcode: 24032
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Hersteller : IR 91054.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 400
Idd,A: 10
Rds(on), Ohm: 0.55
JHGF: THT
verfügbar: 6 Stück
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IRF740PBF IRF740PBF
Produktcode: 181684
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Hersteller : Китай 91054.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 400 V
Idd,A: 10 A
Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/63
JHGF: THT
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IRF740PBF IRF740PBF Hersteller : Vishay 91054.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF740PBF IRF740PBF Hersteller : Vishay 91054.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF740PBF IRF740PBF Hersteller : Vishay 91054.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF740PBF IRF740PBF Hersteller : Vishay 91054.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF740PBF IRF740PBF Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89E5CB7DF8A469&compId=IRF740PBF.pdf?ci_sign=30c177f7d7a30c00e8d9c60fb93770396b85d75a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
33+2.2 EUR
39+1.86 EUR
95+0.76 EUR
100+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 33
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IRF740PBF IRF740PBF Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89E5CB7DF8A469&compId=IRF740PBF.pdf?ci_sign=30c177f7d7a30c00e8d9c60fb93770396b85d75a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
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95+0.76 EUR
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IRF740PBF IRF740PBF Hersteller : Vishay Siliconix 91054.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
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8+2.43 EUR
50+1.79 EUR
500+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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IRF740PBF IRF740PBF Hersteller : Vishay Semiconductors 91054.pdf MOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET
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2+2.8 EUR
10+2.22 EUR
25+2.06 EUR
100+1.76 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.31 EUR
2000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IRF740PBF IRF740PBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0013276546-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF740PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4540 Stücke:
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IRF740PBF IRF740PBF Hersteller : Vishay 91054.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094
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description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 5669 Stück:
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1+1.5 EUR
10+1.45 EUR
100+1 EUR
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NE555P IC Timer
Produktcode: 26138
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description
NE555P IC Timer
Hersteller: TI
IC > IC Timer
Gehäuse: DIP-8
Beschreibung: Timer 1 Ausgang; 4.5...16V; 500 kHz
Temperaturbereich: 0...+70°C
verfügbar: 1922 Stück
409 Stück - stock Köln
1513 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.5 EUR
10+0.24 EUR
100+0.15 EUR
1000+0.12 EUR
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TL494CN
Produktcode: 36468
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suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Ftl494 TL494-D.pdf
TL494CN
Hersteller: TI
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-16
Eigenschaften: PWM Controllers
Spannung, eing., V: 7...40V
I-ausg., A: 200 mA
Fosc, kHz: 300
Temperaturbereich: 0...+70°C
verfügbar: 245 Stück
14 Stück - stock Köln
231 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.29 EUR
10+0.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N4007
Produktcode: 176822
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1N4001-ds.PDF
1N4007
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
auf Bestellung 40961 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LM317T-DG
Produktcode: 150592
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datasheet-lm317t-dg.pdf
LM317T-DG
Hersteller: ST
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: TO-220
Uin, V: 40 V
Uout,V: 1,2…37 V
Iout,A: 1,5 A
Udrop, V: 1,25 V
Bemerkung: Регульований
Temperaturbereich: 0…125°C
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 2000 Stück
2000 Stück - erwartet 19.07.2025
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