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IR2153PBF

IR2153PBF

IR2153D,S,PBF.pdf
Produktcode: 23423
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Hersteller: IR
Gehäuse: DIP-8
Versorgungsspannung Uc, V: 600 V
Ausgangsstrom Io ±, A: 0,1/0,1 А
Ausgangsspannung Vout, V: 15,6 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 80/40 ns
Bemerkung: Selbstschwingender Halbbrückentreiber
Betriebstemperatur, °C: -40…+125°C
Konfiguration: Halbbrücke
erwartet: 150 St.
  • 150 St. - erwartet 05.10.2026
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Technische Details IR2153PBF IR

  • IC, MOSFET/IGBT DRIVER HALF BRIDGE
  • Driver IC Type:MOSFET
  • Case Style:DIP
  • No. of Pins:8
  • Operating Temperature Range:-40`C to +125`C
  • Base Number:2153
  • IC Generic Number:2153
  • Logic Function Number:2153
  • Max Operating Temperature:125`C
  • Max Output Voltage:20V
  • Min Output Voltage:10V
  • Min Temperature Operating:-40`C
  • Offset Voltage:600V
  • Driver IC Case Style:DIP
  • Min Output Sink Current:400mA
  • Min Output Source Current:200mA

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IR2153PBF IR2153PBF Infineon Technologies ir2153.pdf description Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin DIP Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4.5 EUR
50+3.42 EUR
58+2.9 EUR
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250+2.5 EUR
500+2.36 EUR
1000+2.21 EUR
2500+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2153PBF IR2153PBF Infineon Technologies ir2153.pdf description Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin DIP Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
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1000+1.95 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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auf Bestellung 6760 Stücke:
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37+4.68 EUR
50+3.37 EUR
58+2.78 EUR
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250+2.27 EUR
500+2.08 EUR
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2500+1.46 EUR
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Mindestbestellmenge: 37 Stücke
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IR2153PBF IR2153PBF Infineon Technologies ir2153.pdf description Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin DIP Tube
auf Bestellung 6760 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2153PBF IR2153PBF Infineon Technologies IR2153_D_S_PbF_5-21-20.pdf description Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 15.6V
Input Type: RC Input Circuit
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-PDIP
Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 45ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 5987 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.96 EUR
10+3.7 EUR
50+3.2 EUR
100+3.03 EUR
250+2.87 EUR
500+2.77 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2153PBF IR2153PBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2153.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...15.6V DC
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 80ns
Turn-off time: 40ns
auf Bestellung 435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2153PBF IR2153PBF Infineon Technologies ir2153.pdf description Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin DIP Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2153PBF IR2153_D_S_PbF_5-21-20.pdf description IR2153PBF Микросхемы Драйверы
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IR2153PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin DIP Tube
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IR2153PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 15.6V
Input Type: RC Input Circuit
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-PDIP
Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 45ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
DigiKey Programmable: Not Verified
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IR2153PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...15.6V DC
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 80ns
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IR2153PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin DIP Tube
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IR2153PBF description IR2153_D_S_PbF_5-21-20.pdf
IR2153PBF Микросхемы Драйверы
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IRF3205PBF
Produktcode: 25094
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description irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
IRF3205PBF
Hersteller: IR/Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 110 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/76
Montage: THT
erwartet: 50 St.
  • 50 St. - erwartet
auf Bestellung: 3738 St.
  • 3738 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.78 EUR
10+1.73 EUR
100+1.19 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBF
Produktcode: 162988
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
91054.pdf
Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 400 В
Drain-Strom Idd, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,55 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1400/63
Montage: THT
erwartet: 20 St.
  • 20 St. - erwartet
auf Bestellung: 594 St.
  • 594 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.37 EUR
10+1.25 EUR
100+1.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP69
Produktcode: 1263
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BCP69-16_.pdf
BCP69
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-223
Grenzfrequenz fT, MHz: 40 MHz
Spannung Uce, V: 20 V
Spannung Ucb, V: 25 V
Strom Ic, A: 1 A
Stromverstärkung h21, max: 375
ZCODE: 8541 21 00 90
verfügbar: 60 St.
  • 60 St. - stock Köln
auf Bestellung: 1340 St.
  • 1340 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+0.18 EUR
10+0.15 EUR
100+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 7 St.
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47uF 25V EXR 5x11mm (low imp.) (EXR470M25B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Produktcode: 2798
4 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
EXR_080421.pdf
47uF 25V EXR 5x11mm (low imp.) (EXR470M25B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 47 µF
Nennspannung: 25 V
Reihe: EXR
Typ: niedrige Impedanz
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 5x11 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
verfügbar: 1983 St.
  • 1983 St. - stock Köln
erwartet: 25000 St.
  • 25000 St. - erwartet
auf Bestellung: 4030 St.
  • 4030 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+0.31 EUR
10+0.26 EUR
100+0.23 EUR
1000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 4 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NK60ZFP
Produktcode: 3364
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
description STP4NK60ZFP_.pdf
STP4NK60ZFP
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FP
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 2 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 510/18.8
Bemerkung: Isoliertes Gehäuse
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung: 80 St.
  • 80 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+0.83 EUR
10+0.68 EUR
100+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH