IRF1018ES
Produktcode: 99459
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 79 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 7,1 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2290/46
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IRF1018ES | Infineon / IR |
MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRF1018ES |
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