IRF1018ES
Produktcode: 99459
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 79 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 7,1 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2290/46
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF1018ES | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 60V 79A 110W 0,0084Ω IRF1018ES-GURT TIRF1018es Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF1018ES |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 60V 79A 110W 0,0084Ω IRF1018ES-GURT TIRF1018es
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
N-MOSFET HEXFET 60V 79A 110W 0,0084Ω IRF1018ES-GURT TIRF1018es
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 6.78 EUR |