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IRF1310N

Produktcode: 26596
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Technische Details IRF1310N

  • MOSFET, N TO-220
  • Transistor Polarity:N
  • Max Voltage Vds:100V
  • On State Resistance:0.036ohm
  • Power Dissipation:170W
  • Transistor Case Style:TO-220AB
  • No. of Pins:3
  • Case Style:TO-220AB
  • Cont Current Id:41A
  • Current Temperature:25`C
  • Device Marking:IRF1310N
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Lead Spacing:2.54mm
  • No. of Transistors:1
  • Pin Configuration:a
  • Pin Format:1 g
  • 2 d/tab
  • 3 s
  • Power Dissipation Pd:170W
  • Pulse Current Idm:160A
  • Transistor Type:MOSFET

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF1310N Infineon description Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 36mOhm; 42A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF1310 TIRF1310
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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IRF1310N description
Hersteller: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 36mOhm; 42A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF1310 TIRF1310
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