IRF1324PBF Infineon Technologies
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Technische Details IRF1324PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF1324PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 195 A, 0.0012 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 24V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 195A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IRF1324PBF nach Preis ab 1.92 EUR bis 5.51 EUR
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IRF1324PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRF1324PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRF1324PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRF1324PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 353A; 300W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 24V Drain current: 353A Power dissipation: 300W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRF1324PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 353A; 300W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 24V Drain current: 353A Power dissipation: 300W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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IRF1324PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 24V 195A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 195A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7590 pF @ 24 V |
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IRF1324PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 24V 353A 1.5mOhm 160nC Qg |
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IRF1324PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 731 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1324PBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1324PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 195 A, 0.0012 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 24V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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IRF1324PBF Produktcode: 94346
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Hersteller : IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220AB Uds,V: 24 V Idd,A: 249 A Rds(on), Ohm: 1,2 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 7590/160 JHGF: THT |
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