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IRF1324PBF

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Produktcode: 94346
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 24 В
Drain-Strom Idd, A: 249 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,2 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 7590/160
Montage: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF1324PBF IRF1324PBF Infineon Technologies infineonirf1324datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+3.3 EUR
500+2.93 EUR
1000+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
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IRF1324PBF IRF1324PBF Infineon Technologies infineonirf1324datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1324PBF IRF1324PBF Infineon Technologies infineonirf1324datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 876 Stücke:
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50+3.92 EUR
100+2.86 EUR
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IRF1324PBF IRF1324PBF Infineon Technologies irf1324pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dac93318a7 Description: MOSFET N-CH 24V 195A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7590 pF @ 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 195A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 918 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.03 EUR
50+3.03 EUR
100+2.74 EUR
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IRF1324PBF IRF1324PBF Infineon Technologies Infineon_IRF1324_DataSheet_v01_01_EN-3362809.pdf MOSFETs MOSFT 24V 353A 1.5mOhm 160nC Qg
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100+3.03 EUR
250+3 EUR
500+2.48 EUR
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IRF1324PBF IRF1324PBF INFINEON irf1324pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dac93318a7 Description: INFINEON - IRF1324PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 195 A, 1500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 24V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+7.2 EUR
56+4.2 EUR
100+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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IRF1324PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1324PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 24V 195A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7590 pF @ 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
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MOSFETs MOSFT 24V 353A 1.5mOhm 160nC Qg
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IRF1324PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1324PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 195 A, 1500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 24V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
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