IRF1324PBF
Produktcode: 94346
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 24 В
Drain-Strom Idd, A: 249 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,2 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 7590/160
Montage: THT
Produktrezensionen
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Weitere Produktangebote IRF1324PBF nach Preis ab 1.95 EUR bis 7.95 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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IRF1324PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 731 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1324PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1324PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1979 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1324PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 876 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1324PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 876 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1324PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 24V 195A TO220ABInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7590 pF @ 24 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 195A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube |
auf Bestellung 722 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF1324PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 24V 353A 1.5mOhm 160nC Qg |
auf Bestellung 137 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF1324PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1324PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 195 A, 1500 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 24V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm |
auf Bestellung 125 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1324PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 353A; 300W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 24V Drain current: 353A Power dissipation: 300W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRF1324PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 731 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 731+ | 2.03 EUR |
| IRF1324PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 200+ | 3.26 EUR |
| 500+ | 2.89 EUR |
| 1000+ | 2.62 EUR |
| IRF1324PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1979 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 200+ | 3.26 EUR |
| 500+ | 2.89 EUR |
| 1000+ | 2.62 EUR |
| IRF1324PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 876 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 36+ | 4.94 EUR |
| 62+ | 2.71 EUR |
| 100+ | 2.36 EUR |
| 500+ | 1.95 EUR |
| IRF1324PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 876 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 35+ | 5.03 EUR |
| 61+ | 2.82 EUR |
| 100+ | 2.49 EUR |
| 500+ | 2.09 EUR |
| IRF1324PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 24V 195A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7590 pF @ 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 195A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 24V 195A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7590 pF @ 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 195A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 722 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 6.64 EUR |
| 50+ | 3.33 EUR |
| 100+ | 3.01 EUR |
| 500+ | 2.45 EUR |
| IRF1324PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 24V 353A 1.5mOhm 160nC Qg
MOSFETs MOSFT 24V 353A 1.5mOhm 160nC Qg
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 6.66 EUR |
| 10+ | 3.36 EUR |
| 100+ | 3.03 EUR |
| 500+ | 2.48 EUR |
| 1000+ | 2.45 EUR |
| 5000+ | 2.39 EUR |
| IRF1324PBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1324PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 195 A, 1500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 24V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
Description: INFINEON - IRF1324PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 195 A, 1500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 24V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 32+ | 7.95 EUR |
| 55+ | 4.25 EUR |
| 100+ | 3.11 EUR |
| IRF1324PBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 353A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 353A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 353A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 353A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)






