IRF1324PBF


irf1324pbf-datasheet.pdf
Produktcode: 94346
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 24 V
Idd,A: 249 A
Rds(on), Ohm: 1,2 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 7590/160
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
AnzahlPreis
1+2.2 EUR
10+2.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote IRF1324PBF nach Preis ab 1.88 EUR bis 5.51 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRF1324PBF IRF1324PBF Infineon Technologies irf1324pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dac93318a7 Description: MOSFET N-CH 24V 195A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7590 pF @ 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 195A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 918 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.07 EUR
50+2.55 EUR
100+2.3 EUR
500+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1324PBF IRF1324PBF Infineon Technologies Infineon_IRF1324_DataSheet_v01_01_EN-3362809.pdf MOSFETs MOSFT 24V 353A 1.5mOhm 160nC Qg
auf Bestellung 402 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.51 EUR
10+2.83 EUR
100+2.55 EUR
250+2.52 EUR
500+2.08 EUR
1000+1.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1324PBF irf1324pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dac93318a7
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 24V 195A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7590 pF @ 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 195A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 918 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
4+5.07 EUR
50+2.55 EUR
100+2.3 EUR
500+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1324PBF Infineon_IRF1324_DataSheet_v01_01_EN-3362809.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 24V 353A 1.5mOhm 160nC Qg
auf Bestellung 402 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
1+5.51 EUR
10+2.83 EUR
100+2.55 EUR
250+2.52 EUR
500+2.08 EUR
1000+1.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH