Weitere Produktangebote IRF1404STRLPBF nach Preis ab 1.22 EUR bis 5.16 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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IRF1404STRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1404STRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1404STRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1404STRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1404STRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 359 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1404STRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 359 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1404STRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 649 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1404STRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 1150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1404STRLPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 162A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 144 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1404STRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1404STRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 822 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1404STRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V |
auf Bestellung 606 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF1404STRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 40V 162A 4mOhm 160nC |
auf Bestellung 2926 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF1404STRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 4000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 162A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1604 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1404STRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 4000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 162A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1604 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404STRLPBF | Hersteller : International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1404STRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V |
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