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IRF1404STRLPBF

IRF1404STRLPBF Infineon Technologies

irf1404l.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details IRF1404STRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 0.0035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 162A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF Hersteller : Infineon Technologies irf1404l.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF Hersteller : Infineon Technologies irf1404spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355daf0f118b2 Description: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
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IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF Hersteller : Infineon Technologies irf1404l.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF Hersteller : Infineon Technologies irf1404l.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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62+ 2.43 EUR
63+ 2.32 EUR
100+ 2.06 EUR
250+ 1.96 EUR
500+ 1.31 EUR
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IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF Hersteller : Infineon Technologies irf1404l.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF Hersteller : Infineon Technologies irf1404spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355daf0f118b2 Description: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
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5+4.17 EUR
100+ 3.45 EUR
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IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF1404L_DataSheet_v01_01_EN-3363039.pdf MOSFET MOSFT 40V 162A 4mOhm 160nC
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IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF Hersteller : INFINEON IRSDS10287-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 0.0035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF Hersteller : INFINEON IRSDS10287-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 0.0035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF Hersteller : Infineon Technologies irf1404l.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF1404STRLPBF
Produktcode: 169012 		irf1404spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355daf0f118b2 Transistoren > MOSFET N-CH
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IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF Hersteller : Infineon Technologies irf1404l.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf1404spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf1404spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
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