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IRF1404ZSTRLPBF

IRF1404ZSTRLPBF Infineon Technologies

IRSDS19311-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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Technische Details IRF1404ZSTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 200W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF Infineon Technologies irf7380pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
295+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 295 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF INFINEON 1718468.pdf Description: INFINEON - IRF1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
auf Bestellung 3283 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.63 EUR
500+2.3 EUR
1500+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRF1404ZSTRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 458 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+3.4 EUR
32+2.73 EUR
36+2.38 EUR
50+1.74 EUR
100+1.57 EUR
250+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF Infineon Technologies irf7380pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+4.02 EUR
64+2.68 EUR
65+2.55 EUR
116+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF Infineon Technologies irf7380pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+4.02 EUR
64+2.74 EUR
65+2.65 EUR
116+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF Infineon Technologies IRSDS19311-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
auf Bestellung 4111 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.76 EUR
10+3.07 EUR
100+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF1404Z_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 40V 190A 3.7mOhm 100nC Qg
auf Bestellung 167 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.84 EUR
10+3.77 EUR
100+2.59 EUR
500+1.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF INFINEON 1718468.pdf Description: INFINEON - IRF1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
auf Bestellung 3283 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+6.75 EUR
58+4.03 EUR
100+2.63 EUR
500+2.3 EUR
1500+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
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IRF1404ZSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
295+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 295 Stücke
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IRF1404ZSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
auf Bestellung 3283 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.63 EUR
500+2.3 EUR
1500+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRF1404ZSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 458 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
25+3.4 EUR
32+2.73 EUR
36+2.38 EUR
50+1.74 EUR
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250+1.51 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
44+4.02 EUR
64+2.68 EUR
65+2.55 EUR
116+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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IRF1404ZSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
44+4.02 EUR
64+2.74 EUR
65+2.65 EUR
116+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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IRF1404ZSTRLPBF IRSDS19311-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF1404ZSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
auf Bestellung 4111 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.76 EUR
10+3.07 EUR
100+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRF1404ZSTRLPBF Infineon_IRF1404Z_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF1404ZSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 40V 190A 3.7mOhm 100nC Qg
auf Bestellung 167 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+5.84 EUR
10+3.77 EUR
100+2.59 EUR
500+1.56 EUR
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IRF1404ZSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
auf Bestellung 3283 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
38+6.75 EUR
58+4.03 EUR
100+2.63 EUR
500+2.3 EUR
1500+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
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