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IRF1405ZPBF

IRF1405ZPBF Infineon Technologies

irf1405zs7ppbf.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details IRF1405ZPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF1405ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 150 A, 4900 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 230W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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IRF1405ZPBF IRF1405ZPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5DE6DA3AF1F1A303005056AB0C4F&compId=irf1405zpbf.pdf?ci_sign=e3a2c165305a26dfb16ddc05272a36952c1eb65f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 150A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 150A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 230W
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IRF1405ZPBF IRF1405ZPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF1405Z_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 55V 150A 4.9mOhm 120nC
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IRF1405ZPBF IRF1405ZPBF Hersteller : Infineon Technologies irf1405zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db17fa18c1 Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
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500+2.26 EUR
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IRF1405ZPBF IRF1405ZPBF Hersteller : INFINEON 1302215.pdf Description: INFINEON - IRF1405ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 150 A, 4900 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
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IRF1405ZPBF irf1405zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db17fa18c1 IRF1405ZPBF Транзисторы Прочие
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Produktcode: 35347
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Hersteller : IR irf1405zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db17fa18c1 Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 169
Rds(on), Ohm: 0.0053
Ciss, pF/Qg, nC: 5480/170
JHGF: THT
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