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IRF1405ZPBF

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Produktcode: 35347
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 169
Rds(on), Ohm: 0.0053
Ciss, pF/Qg, nC: 5480/170
JHGF: THT
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IRF1405ZPBF IRF1405ZPBF Hersteller : Infineon Technologies 3852irf1405zs-7ppbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1405ZPBF IRF1405ZPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5DE6DA3AF1F1A303005056AB0C4F&compId=irf1405zpbf.pdf?ci_sign=e3a2c165305a26dfb16ddc05272a36952c1eb65f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 150A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 150A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
26+2.85 EUR
60+1.20 EUR
64+1.13 EUR
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IRF1405ZPBF IRF1405ZPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5DE6DA3AF1F1A303005056AB0C4F&compId=irf1405zpbf.pdf?ci_sign=e3a2c165305a26dfb16ddc05272a36952c1eb65f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 150A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 150A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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54+2.90 EUR
100+2.53 EUR
500+1.88 EUR
1000+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 54
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IRF1405ZPBF IRF1405ZPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF1405Z_DataSheet_v01_01_EN-3362860.pdf MOSFETs MOSFT 55V 150A 4.9mOhm 120nC
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10+6.04 EUR
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IRF1405ZPBF IRF1405ZPBF Hersteller : Infineon Technologies irf1405zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db17fa18c1 Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
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50+3.10 EUR
100+2.81 EUR
500+2.30 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IRF1405ZPBF IRF1405ZPBF Hersteller : INFINEON 1302215.pdf Description: INFINEON - IRF1405ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 150 A, 0.0049 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRF1405ZPBF IRF1405ZPBF Hersteller : Infineon Technologies 3852irf1405zs-7ppbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1405ZPBF IRF1405ZPBF Hersteller : Infineon Technologies 3852irf1405zs-7ppbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1405ZPBF irf1405zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db17fa18c1 IRF1405ZPBF Транзисторы Прочие
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