IRF1407STRLPBF Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details IRF1407STRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF1407STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 0.0078 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.8W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRF1407STRLPBF nach Preis ab 1.00 EUR bis 4.80 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRF1407STRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRF1407STRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V |
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IRF1407STRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRF1407STRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRF1407STRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRF1407STRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V |
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IRF1407STRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 75V 100A 7.8mOhm 160nC |
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IRF1407STRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1407STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 0.0078 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.8W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
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IRF1407STRLPBF Produktcode: 107266
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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IRF1407STRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRF1407STRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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| IRF1407STRLPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; Idm: 520A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 70A Pulsed drain current: 520A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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| IRF1407STRLPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; Idm: 520A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 70A Pulsed drain current: 520A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
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