IRF150P220AKMA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Preis |
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| 11+ | 12.53 EUR |
| 50+ | 7.84 EUR |
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Technische Details IRF150P220AKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF150P220AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 203 A, 2700 µohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 203A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 556W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IRF150P220AKMA1 nach Preis ab 6.5 EUR bis 15.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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IRF150P220AKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 150V 203A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 203A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 556W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 265µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 75 V |
auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF150P220AKMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF150P220AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 203 A, 2700 µohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 203A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 556W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 431 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF150P220AKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRF150P220AKMA1 | Hersteller : International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 203 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 12000 @ 75, Qg, нКл = 200, Rds = 2,7 мОм, Ugs(th) = 4,6, Р, Вт = 556, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-247-3 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF150P220AKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
Produkt ist nicht verfügbar |