IRF150P221AKMA1 Infineon Technologies
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Technische Details IRF150P221AKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF150P221AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 186 A, 0.0036 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 186A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 341W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IRF150P221AKMA1 nach Preis ab 6.72 EUR bis 12.79 EUR
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Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IRF150P221AKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 150V 186A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IRF150P221AKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH >=100V |
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IRF150P221AKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 186A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 186A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 75 V |
auf Bestellung 398 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF150P221AKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 186A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 396 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF150P221AKMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF150P221AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 186 A, 0.0036 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 186A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 341W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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IRF150P221AKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 186A Tube |
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IRF150P221AKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 186A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF150P221AKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 186A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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