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IRF200P222 Infineon Technologies

Name: IRF200P222
Brand: Infineon Technologies
SKU: 17505358-5
Price: 3740.00 EUR
Availability: InStock

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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 182A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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Technische Details IRF200P222 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF200P222 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 182 A, 0.0053 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 182A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 556W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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INFINEON

Description: INFINEON - IRF200P222 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 182 A, 0.0053 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Bauform - Transistor: TO-247AC
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Produktpalette: StrongIRFET
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

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Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
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euEccn: NLR
Verlustleistung: 556W
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Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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