IRF200P222 Infineon Technologies
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| 400+ | 9.35 EUR |
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Technische Details IRF200P222 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF200P222 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 182 A, 0.0053 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 182A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 556W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IRF200P222 nach Preis ab 7.38 EUR bis 15.66 EUR
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IRF200P222 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 200V 182A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 51 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF200P222 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 182A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 51 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF200P222 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; StrongIRFET™; unipolar; 200V; 129A; 556W Drain-source voltage: 200V Drain current: 129A On-state resistance: 6.6mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 556W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 203nC Technology: StrongIRFET™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO247AC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF200P222 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; StrongIRFET™; unipolar; 200V; 129A; 556W Drain-source voltage: 200V Drain current: 129A On-state resistance: 6.6mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 556W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 203nC Technology: StrongIRFET™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO247AC |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF200P222 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 182A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 171 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF200P222 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 182A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 170 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF200P222 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 182A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 408 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF200P222 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs IFX OPTIMOS |
auf Bestellung 972 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF200P222 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 182A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 182A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 82A, 10V Power Dissipation (Max): 556W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9820 pF @ 50 V |
auf Bestellung 517 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF200P222 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 182A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 171 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF200P222 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF200P222 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 182 A, 0.0053 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 182A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 556W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 827 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF200P222 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 182A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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