Technische Details IRF240 IR
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 125W; TO3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: HEXFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 200V, Drain current: 18A, Power dissipation: 125W, Case: TO3, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced.
Weitere Produktangebote IRF240
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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IRF240 Produktcode: 40943 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
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| IRF240 | Hersteller : Infineon Technologies | Infineon |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF240 | Hersteller : Infineon (IRF) |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 125W; TO3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 18A Power dissipation: 125W Case: TO3 Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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