IRF250P225 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 85+ | 6.39 EUR |
| 100+ | 5.85 EUR |
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Technische Details IRF250P225 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF250P225 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 69 A, 0.018 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 69A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 313W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRF250P225 nach Preis ab 5.56 EUR bis 15.11 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||
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IRF250P225 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 250V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
auf Bestellung 52 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF250P225 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; StrongIRFET™; unipolar; 250V; 49A; 313W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 49A Power dissipation: 313W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 96nC Technology: StrongIRFET™ Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF250P225 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; StrongIRFET™; unipolar; 250V; 49A; 313W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 49A Power dissipation: 313W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 96nC Technology: StrongIRFET™ Kind of package: tube |
auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF250P225 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs IFX OPTIMOS |
auf Bestellung 593 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF250P225 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
auf Bestellung 375 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF250P225 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF250P225 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 69 A, 0.018 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 69A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 313W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 334 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF250P225 | Hersteller : International Rectifier |
N-MOSFET 250V 69A IRF250P225 TIRF250P225 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF250P225 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 250V 69A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 41A, 10V Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4897 pF @ 50 V |
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