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IRF2804 PBF

Produktcode: 23326
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 75 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,002 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 6450/160
Montage: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF2804PBF IRF2804PBF Infineon Technologies infineonirf2804datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 539 Stücke:
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500+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
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IRF2804PBF IRF2804PBF Infineon Technologies infineonirf2804datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF2804PBF IRF2804PBF Infineon Technologies infineonirf2804datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3864 Stücke:
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77+2.31 EUR
81+2.17 EUR
100+2.09 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804PBF IRF2804PBF Infineon Technologies infineonirf2804datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804PBF IRF2804PBF Infineon Technologies infineonirf2804datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Mindestbestellmenge: 72 Stücke
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IRF2804PBF IRF2804PBF Infineon Technologies infineonirf2804datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804PBF IRF2804PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2804pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 2.3mΩ
auf Bestellung 680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+3.87 EUR
35+2.45 EUR
50+2.05 EUR
100+1.89 EUR
250+1.69 EUR
500+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804PBF IRF2804PBF Infineon Technologies infineonirf2804datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
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37+4.88 EUR
50+4.63 EUR
100+4.37 EUR
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500+3.97 EUR
1000+3.82 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804PBF IRF2804PBF INFINEON INFN-S-A0012732418-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF2804PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 280 A, 2300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 280A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
auf Bestellung 1106 Stücke:
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41+6.12 EUR
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500+2.3 EUR
1000+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
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IRF2804PBF IRF2804PBF Infineon Technologies irf2804pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355de76f818e3 Description: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
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4+6.28 EUR
50+3.14 EUR
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1000+2.13 EUR
2000+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IRF2804PBF IRF2804PBF Infineon Technologies Infineon_IRF2804_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC Qg
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1000+2.4 EUR
2000+2.26 EUR
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IRF2804PBF IRF2804PBF Infineon Technologies infineonirf2804datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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 Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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IRF2804PBF
Hersteller: Infineon Technologies
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IRF2804PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF2804PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3864 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
77+2.31 EUR
81+2.17 EUR
100+2.09 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.78 EUR
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IRF2804PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF2804PBF
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IRF2804PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 2.3mΩ
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IRF2804PBF
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IRF2804PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF2804PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 280 A, 2300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 280A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
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1000+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
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IRF2804PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
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IRF2804PBF
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MOSFETs MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC Qg
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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PIC12F675-I/P
Produktcode: 24826
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PIC12F629,675.pdf
PIC12F675-I/P
Hersteller: Microchip
IC > IC Mikrokontroller
Gehäusetyp: PDIP-8
Kurzbeschreibung: 8-bit Mikrocontroller mit 1KB,20MHz
Versorgungsspannung, V: 2,0...5,5 V
Kerntyp: PIC12
Bitbreite: 8-Bit
Frequenz: 20 MHz
Betriebstemperatur, °C: -40...+125°C
ZCODE: 8542 39 90 00
auf Bestellung 307 St.:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC1815Y
Produktcode: 15198
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description 2sc1815.pdf
2SC1815Y
Hersteller: DC
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
Transitfrequenz fT: 80 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 50 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 60 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,15 A
Stromverstärkung h21: 700
Montage: THT
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