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IRF2804 PBF

Produktcode: 23326
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 40
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 01.02.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 6450/160
JHGF: THT
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IRF2804PBF IRF2804PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf2804datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF2804PBF IRF2804PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf2804pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 2.3mΩ
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IRF2804PBF IRF2804PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF2804_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC Qg
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IRF2804PBF IRF2804PBF Hersteller : Infineon Technologies irf2804pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355de76f818e3 Description: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
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IRF2804PBF IRF2804PBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012732418-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF2804PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 280 A, 2300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 280A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IRF2804PBF IRF2804PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf2804datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF2804PBF Hersteller : International Rectifier irf2804pbf.pdf Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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IRF2804PBF Hersteller : International Rectifier/Infineon irf2804pbf.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 75 А, Ptot, Вт = 300, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 6450 @ 25, Qg, нКл = 240 @ 10 В, Rds = 2,3 мОм @ 75 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220AB
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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PIC12F675-I/P
Produktcode: 24826
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PIC12F675-I/P
Hersteller: Microchip
IC > IC Mikrokontroller
Gehäuse: PDIP-8
Kurzbeschreibung: 8-bit Mikrokontroller with 1KB,20MHz
Strom, V: 2,0...5,5V
Betriebstemperatur, °С: -40…+125°C
Austauschbar: 8-Bit
Bemerkung: 20MHz
Робоча температура, °С: -40…+125°C
ZCODE: 8542399000
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
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10+1.21 EUR
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2SC1815Y
Produktcode: 15198
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description 2sc1815.pdf
2SC1815Y
Hersteller: DC
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 80 MHz
Uceo,V: 50
Ucbo,V: 60
Ic,A: 0,15
h21: 700
ZCODE: THT
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