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IRF2804S-7P


Hersteller: IR

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Technische Details IRF2804S-7P IR

Transistoren > MOSFET N-CH, Gehäuse: D2PAK-7 (TO-263-7), Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V, Drain-Strom Idd, A: 160 A, Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,6 mOhm, Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 6930/170, Montage: SMD.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF2804S-7P IRF2804S-7P
Produktcode: 99463
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IR irf2804s-7ppbf.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK-7 (TO-263-7)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 160 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,6 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 6930/170
Montage: SMD
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IRF2804S-7P
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Gehäuse: D2PAK-7 (TO-263-7)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 160 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,6 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 6930/170
Montage: SMD
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