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IRF2804S


Hersteller: IR
07+ TO-263
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Technische Details IRF2804S IR

Transistoren > MOSFET N-CH, Gehäuse: D2PAK (TO-263), Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V, Drain-Strom Idd, A: 75 A, Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 2,0 mOhm, Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 6450/160, Montage: SMD.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF2804S IRF2804S
Produktcode: 99462
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IR irf2804pbf-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 75 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 2,0 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 6450/160
Montage: SMD
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IRF2804S
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IRF2804S
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 75 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 2,0 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 6450/160
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