IRF2804STRLPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRF2804STRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF2804STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRF2804STRLPBF nach Preis ab 1.5 EUR bis 5.17 EUR
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Preis | ||||||||||||||||
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IRF2804STRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF2804STRLPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 280A Power dissipation: 330W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 735 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF2804STRLPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 280A Power dissipation: 330W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 735 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF2804STRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC Qg |
auf Bestellung 1132 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF2804STRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2296 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF2804STRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF2804STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 363 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF2804STRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF2804STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 363 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF2804STRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF2804STRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF2804STRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |