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IRF2807


Hersteller: IR
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Technische Details IRF2807 IR

Transistoren > MOSFET N-CH, Gehäuse: TO-220, Drain-Source-Spannung Uds, V: 75 V, Drain-Strom Idd, A: 82 A, Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,013 Ohm, Montage: THT.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF2807 IRF2807 Infineon info-tirf2807.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRF2807 TIRF2807
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IRF2807 IRF2807 Infineon info-tirf2807.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRF2807 TIRF2807
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IRF2807 IRF2807 International Rectifier info-tirf2807.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRF2807 TIRF2807
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IRF2807
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Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRF2807 TIRF2807
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IRF2807
Hersteller: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRF2807 TIRF2807
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IRF2807
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Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRF2807 TIRF2807
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