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IRF2807SPBF

Produktcode: 3880

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Hersteller:
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 75 В
Drain-Strom Idd, A: 82 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 13 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3820/160
Montage: SMD

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Technische Details IRF2807SPBF

MOSFET, N, 75V, 82A, D2-PAK
Transistor Type:MOSFET
Max Voltage Vds:75V
On State Resistance:0.013ohm
Power Dissipation:200W
Transistor Case Style:D2-PAK
Alternate Case Style:D2-PAK
Case Style:D2-PAK
Cont Current Id:82A
Current Temperature:25`C
Full Power Rating Temperature:25`C
Junction to Case Thermal Resistance A:0.75`C/W
Max Voltage Vgs th:4V
Power Dissipation Pd:200W
Power Dissipation on 1 Sq. PCB:3.8W
Pulse Current Idm:280A
SMD Marking:IRF2807S
Termination Type:SMD
Transistor Polarity:N
Typ Voltage Vds:75V
Typ Voltage Vgs th:4V
Voltage Vds:75V
Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

Weitere Produktangebote IRF2807SPBF

Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
IRF2807SPBF	Infineon Technologies	Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF2807SPBF	International Rectifier	N-кан. MOSFET 75V, 82A, 0.013Ом, 230Вт, TO-263 Транзистори	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF2807SPBF	Infineon Technologies	MOSFETs 75V 1 N-CH HEXFET 13mOhms 106.7nC	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF2807SPBF	Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRF2807SPBF

Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V

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IRF2807SPBF

Hersteller: International Rectifier
N-кан. MOSFET 75V, 82A, 0.013Ом, 230Вт, TO-263 Транзистори

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IRF2807SPBF

Infineon_IRF2807S_DataSheet_v01_01_EN-1732390.pdf

Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 75V 1 N-CH HEXFET 13mOhms 106.7nC

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IRF2807SPBF

Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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