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IRF2807SPBF

IRF2807SPBF

irf2807spbf-datasheet.pdf
Produktcode: 3880
Hersteller:
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 75 V
Idd,A: 82 A
Rds(on), Ohm: 13 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3820/160
JHGF: SMD
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Technische Details IRF2807SPBF

  • MOSFET, N, 75V, 82A, D2-PAK
  • Transistor Type:MOSFET
  • Max Voltage Vds:75V
  • On State Resistance:0.013ohm
  • Power Dissipation:200W
  • Transistor Case Style:D2-PAK
  • Alternate Case Style:D2-PAK
  • Case Style:D2-PAK
  • Cont Current Id:82A
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Junction to Case Thermal Resistance A:0.75`C/W
  • Max Voltage Vgs th:4V
  • Power Dissipation Pd:200W
  • Power Dissipation on 1 Sq. PCB:3.8W
  • Pulse Current Idm:280A
  • SMD Marking:IRF2807S
  • Termination Type:SMD
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:75V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Voltage Vds:75V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRF2807SPBF IRF2807SPBF Hersteller : Infineon Technologies irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4 Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
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IRF2807SPBF IRF2807SPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF2807S_DataSheet_v01_01_EN-1732390.pdf MOSFETs 75V 1 N-CH HEXFET 13mOhms 106.7nC
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