Technische Details IRF2807ZPBF
- MOSFET, N, 75V, 89A, TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Max Voltage Vds:75V
- On State Resistance:0.0094ohm
- Power Dissipation:170W
- Transistor Case Style:TO-220AB
- Case Style:TO-220AB
- Cont Current Id:89A
- Junction to Case Thermal Resistance A:0.9`C/W
- On State resistance @ Vgs = 10V:9.4ohm
- Power Dissipation Pd:170W
- Pulse Current Idm:350A
- Termination Type:Through Hole
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:75V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Weitere Produktangebote IRF2807ZPBF nach Preis ab 1.07 EUR bis 4.35 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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IRF2807ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 223000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF2807ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF2807ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 2389 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF2807ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 766 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF2807ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 865 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF2807ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 937 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF2807ZPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 89A; 170W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 89A Power dissipation: 170W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 71nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF2807ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 75V 89A 9.4mOhm 71nC |
auf Bestellung 4701 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF2807ZPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF2807ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 89 A, 9400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 89A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF2807ZPBF | Hersteller : International Rectifier |
N-кан. MOSFET 75V, 82A, 0.013Ом, 230Вт, TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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IRF2807ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 53A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V |
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