IRF2807ZPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRF2807ZPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF2807ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 89 A, 0.0094 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 89A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRF2807ZPBF nach Preis ab 0.76 EUR bis 4.35 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRF2807ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRF2807ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRF2807ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRF2807ZPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 89A; 170W; TO220AB Mounting: THT Drain-source voltage: 75V Drain current: 89A On-state resistance: 9.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 170W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 71nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: TO220AB Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRF2807ZPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 89A; 170W; TO220AB Mounting: THT Drain-source voltage: 75V Drain current: 89A On-state resistance: 9.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 170W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 71nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: TO220AB |
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IRF2807ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRF2807ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 53A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V |
auf Bestellung 273 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF2807ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 75V 89A 9.4mOhm 71nC |
auf Bestellung 4701 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF2807ZPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF2807ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 89 A, 0.0094 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 89A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1153 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF2807ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1309 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF2807ZPBF Produktcode: 58174
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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