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IRF2807ZPBF

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Produktcode: 58174
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Technische Details IRF2807ZPBF

  • MOSFET, N, 75V, 89A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Max Voltage Vds:75V
  • On State Resistance:0.0094ohm
  • Power Dissipation:170W
  • Transistor Case Style:TO-220AB
  • Case Style:TO-220AB
  • Cont Current Id:89A
  • Junction to Case Thermal Resistance A:0.9`C/W
  • On State resistance @ Vgs = 10V:9.4ohm
  • Power Dissipation Pd:170W
  • Pulse Current Idm:350A
  • Termination Type:Through Hole
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:75V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

Weitere Produktangebote IRF2807ZPBF nach Preis ab 1.4 EUR bis 5.72 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF Infineon Technologies irf2807zpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 223000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 271 Stücke
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IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2807z.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 89A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 20 Stücke:
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20+4.26 EUR
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IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF Infineon Technologies irf2807zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355debf4518f9 description MOSFETs MOSFT 75V 89A 9.4mOhm 71nC
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.01 EUR
10+3.33 EUR
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500+1.98 EUR
1000+1.69 EUR
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IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF INFINEON INFN-S-A0012837630-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF2807ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 89 A, 9400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm
auf Bestellung 130 Stücke:
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44+5.72 EUR
67+3.47 EUR
100+2.31 EUR
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 89A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF2807ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 89 A, 9400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm
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