Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF2807ZSTRLPBF
IRF2807ZSTRLPBF

IRF2807ZSTRLPBF Infineon Technologies

irf2807zpbf.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 27200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
224+2.95 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.36 EUR
10000+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 224 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IRF2807ZSTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF2807ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 75 A, 0.0075 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Weitere Produktangebote IRF2807ZSTRLPBF nach Preis ab 2 EUR bis 5.11 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF2807ZSTRLPBF IRF2807ZSTRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF2807Z_DataSheet_v01_01_EN-3363040.pdf MOSFETs MOSFT 75V 89A 9.4mOhm 71nC
auf Bestellung 1107 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.11 EUR
10+3.5 EUR
100+2.53 EUR
800+2.24 EUR
2400+2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZSTRLPBF IRF2807ZSTRLPBF INFINEON 1718470.pdf Description: INFINEON - IRF2807ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 75 A, 0.0075 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZSTRLPBF IRF2807ZSTRLPBF INFINEON 1718470.pdf Description: INFINEON - IRF2807ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 75 A, 0.0075 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZSTRLPBF Infineon irf2807zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355debf4518f9
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZSTRLPBF Infineon_IRF2807Z_DataSheet_v01_01_EN-3363040.pdf
IRF2807ZSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 89A 9.4mOhm 71nC
auf Bestellung 1107 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.11 EUR
10+3.5 EUR
100+2.53 EUR
800+2.24 EUR
2400+2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZSTRLPBF 1718470.pdf
IRF2807ZSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF2807ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 75 A, 0.0075 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZSTRLPBF 1718470.pdf
IRF2807ZSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF2807ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 75 A, 0.0075 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZSTRLPBF irf2807zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355debf4518f9
Hersteller: Infineon
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH