Produkte > IR > IRF3704ZS

IRF3704ZS


Hersteller: IR
TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IRF3704ZS IR

Transistoren > MOSFET N-CH, Gehäuse: D2PAK (TO-263), Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V, Drain-Strom Idd, A: 47 A, Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 7,9 mOhm, Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1220/8,7, Montage: SMD.

Weitere Produktangebote IRF3704ZS nach Preis ab 0.98 EUR bis 1.05 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF3704ZS IRF3704ZS
Produktcode: 99466
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IR irf3704z-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Idd, A: 47 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 7,9 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1220/8,7
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.05 EUR
10+0.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3704ZS
Produktcode: 99466
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
irf3704z-datasheet.pdf
IRF3704ZS
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Idd, A: 47 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 7,9 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1220/8,7
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
AnzahlPrivatkunde
1+1.05 EUR
10+0.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH