IRF3710SPBF
Produktcode: 43364
Hersteller: IRGehäuse: D2Pak
Uds,V: 100
Rds(on), Ohm: 57
Ciss, pF/Qg, nC: 40
Bem.: 200
JHGF: 01.12.1945
verfügbar 16 Stück:
3 Stück - stock Köln
13 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 1.08 EUR |
| 10+ | 1.06 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Weitere Produktangebote IRF3710SPBF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF3710SPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
|
IRF3710SPBF | Hersteller : International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
IRF3710SPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAKPackaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
IRF3710SPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 23mOhms 86.7nC |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mit diesem Produkt kaufen
| UC2843BD1 Produktcode: 144625
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: ST
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SO-8
Eigenschaften: Switching Controllers PWM CONTROLLER
Spannung, eing., V: 30 V
I-ausg., A: 1 A
Fosc, kHz: 500 kHz
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SO-8
Eigenschaften: Switching Controllers PWM CONTROLLER
Spannung, eing., V: 30 V
I-ausg., A: 1 A
Fosc, kHz: 500 kHz
auf Bestellung 172 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BZX55-C12 Produktcode: 26387
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: YJ/NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-35
Ustab.,V: 12
Istab.direkt,A: 0,033
Pmax: 0,4
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 8.4mV/K
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-35
Ustab.,V: 12
Istab.direkt,A: 0,033
Pmax: 0,4
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 8.4mV/K
verfügbar: 1414 Stück
1086 Stück - stock Köln
328 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
328 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.04 EUR |
| 10+ | 0.03 EUR |
| 100+ | 0.027 EUR |
| 1000+ | 0.017 EUR |
| IRFR9024NTRPBF Produktcode: 23070
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 55
Id,A: 11
Rds(on),Om: 0.175
Ciss, pF/Qg, nC: 350/19
/: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 55
Id,A: 11
Rds(on),Om: 0.175
Ciss, pF/Qg, nC: 350/19
/: SMD
verfügbar: 1333 Stück
15 Stück - stock Köln
1318 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1318 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.34 EUR |
| 10+ | 0.31 EUR |
| 1nF 100V NP0 J(+/-5%) (R15N102J2AH5-L) Produktcode: 18266
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Hitano
Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische mehrschichtige
Kapazität: 1nF
Nennspannung: 100V
TKE: NP0
Präzision: ±5% J
Abmessungen: 5,08mm
Part Nummer: R15N102J2AH5-L
Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische mehrschichtige
Kapazität: 1nF
Nennspannung: 100V
TKE: NP0
Präzision: ±5% J
Abmessungen: 5,08mm
Part Nummer: R15N102J2AH5-L
verfügbar: 558 Stück
116 Stück - stock Köln
442 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
442 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 0.06 EUR |
| 100+ | 0.039 EUR |
| 1000+ | 0.034 EUR |
| 1N5408 Produktcode: 2135
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: YJ/MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-201
Urev.,V: 1000
Iausricht.,А: 3
Beschreibung: GleichrichterVR=1000 B, IF =3A, IFSM =200A
Austauschbar: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,2 V
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-201
Urev.,V: 1000
Iausricht.,А: 3
Beschreibung: GleichrichterVR=1000 B, IF =3A, IFSM =200A
Austauschbar: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,2 V
verfügbar: 10023 Stück
65 Stück - stock Köln
9958 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
9958 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet:
300 Stück
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.069 EUR |
| 10+ | 0.049 EUR |
| 100+ | 0.044 EUR |
| 1000+ | 0.042 EUR |







