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IRF3710SPBF

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Produktcode: 43364
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Hersteller: IR
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 57 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 40
Bemerkung: 200
Montage: SMD
verfügbar: 9 St.
  • 3 St. - stock Köln
  • 6 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF3710SPBF International Rectifier irf3710spbf.pdf MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK Транзистори
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IRF3710SPBF IRF3710SPBF Infineon Technologies irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949 Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
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IRF3710SPBF IRF3710SPBF Infineon Technologies Infineon_IRF3710S_DataSheet_v01_01_EN-3165983.pdf MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 23mOhms 86.7nC
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IRF3710SPBF irf3710spbf.pdf
Hersteller: International Rectifier
MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK Транзистори
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IRF3710SPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
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IRF3710SPBF Infineon_IRF3710S_DataSheet_v01_01_EN-3165983.pdf
IRF3710SPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 23mOhms 86.7nC
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UC2843BD1
Produktcode: 144625
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cd00000966-1795510.pdf
UC2843BD1
Hersteller: ST
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SO-8
Funktion und Eigenschaften: Schaltcontroller, PWM-Controller
Eingangsspannung, V: 30 В
Ausgangsstrom Iout, A: 1 А
Frequenz Fosc, kHz: 500 кГц
auf Bestellung 163 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BZX55-C12
Produktcode: 26387
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BZX55.pdf
BZX55-C12
Hersteller: YJ/NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-35
Stabilisierungsspannung Vz, V: 12 V
Stabilisierungsstrom Izt, mA: 5 mA
Verlustleistung Pd, W: 0,4 W
Montage: THT
Temperaturkoeffizient: 8,4 mV/K
verfügbar: 1355 St.
  • 1086 St. - stock Köln
  • 269 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPrivatkunde
1+0.048 EUR
10+0.036 EUR
100+0.032 EUR
1000+0.02 EUR
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MBR20100CTG
Produktcode: 26154
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description MBR20100CT.pdf
MBR20100CTG
Hersteller: ON/LGE
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: TO-220
Sperrspannung Vrrm, V: 100 V
Durchlassstrom (per leg) If, A: 20 A
Durchlassspannung Vf, V: 0,8 V
Bemerkung: Aufbau: zwei Dioden in einem Gehäuse, gemeinsame Kathode, Strom 10 A pro Diode.
Montage: THT
Stoßstrom Ifsm, A: 150 А
auf Bestellung 216 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.57 EUR
10+0.5 EUR
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1nF 100V NP0 J(+/-5%) (R15N102J2AH5-L-Hitano)
Produktcode: 18266
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multilayer_ceramic_capaacitorsepoxy.pdf
1nF 100V NP0 J(+/-5%) (R15N102J2AH5-L-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische mehrschichtige
Kapazität: 1 nF
Nennspannung: 100 V
TKE (Dielektrikum): NP0
Toleranz: ±5% J
Rastermaß: 5,08 mm
Part Number: R15N102J2AH5-L
verfügbar: 249 St.
  • 116 St. - stock Köln
  • 133 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 10000 St.
  • 10000 St. - erwartet
AnzahlPrivatkunde
10+0.071 EUR
100+0.046 EUR
1000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
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IR2104STRPBF
Produktcode: 11413
3 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
description ir2104-65702.pdf
IR2104STRPBF
Hersteller: IR
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: SO-8
Versorgungsspannung Uc, V: 600 V
Ausgangsstrom Io ±, A: 0,13/0,27 A
Ausgangsspannung Vout, V: 10-20 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 680/150 ns
Betriebstemperatur, °C: -40…+125°C
Konfiguration: Halbbrücke
verfügbar: 112 St.
  • 11 St. - stock Köln
  • 101 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 7 St.
  • 7 St. - erwartet
AnzahlPrivatkunde
1+2.14 EUR
10+1.78 EUR
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