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MBR20100CTG

MBR20100CTG ON/LGE

MBR20100CT.pdf
Produktcode: 26154
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Hersteller: ON/LGE
Gehäuse: TO-220
Sperrspannung Vrrm, V: 100 V
Durchlassstrom (per leg) If, A: 20 A
Durchlassspannung Vf, V: 0,8 V
Bemerkung: Aufbau: zwei Dioden in einem Gehäuse, gemeinsame Kathode, Strom 10 A pro Diode.
Montage: THT
Stoßstrom Ifsm, A: 150 А
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Technische Details MBR20100CTG ON/LGE

  • DIODE, SCHOTTKY, 2X10A, 100V
  • Diode Type:Schottky
  • Voltage Vrrm:100V
  • Av Current If:10A
  • Current Ifsm:150A
  • Max Voltage Vf:0.95V
  • Max Junction Temperature Tj:175`C
  • Termination Type:Through Hole
  • Case Style:TO-220AB
  • No. of Pins:3
  • Diode Case Style:TO-220AB
  • Current If @ Vf:10A
  • Device Marking:MBR20100CT
  • Forward Current:10A
  • Forward Voltage:0.75V
  • Max Current Ifs:150A

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MBR20100CTG LGE MBR20%2880%2C90%2C100%29CT.pdf description 20A; 100V package: tube;   equivalent: FST20100 MBR20100 TO220 LGE Schottky diode DS MBR20100 q
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MBR20100CTG MBR20%2880%2C90%2C100%29CT.pdf description MBR20100CTG Диоды Ultra fast
auf Bestellung 5323 Stücke:
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Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 2 Stücke:
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Hersteller: IR/Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 110 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/76
Montage: THT
auf Bestellung: 3857 St.
  • 3857 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Hersteller: TI
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-16
Funktion und Eigenschaften: PWM-Controller
Eingangsspannung, V: 7...40 V
Ausgangsstrom Iout, A: 200 mA
Frequenz Fosc, kHz: 300 kHz
Temperaturbereich: 0...+70°C
verfügbar: 14 St.
  • 14 St. - stock Köln
auf Bestellung: 277 St.
  • 277 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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1000uF 50V EXR 16x26mm (low imp.) (EXR102M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
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1000uF 50V EXR 16x26mm (low imp.) (EXR102M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1000 µF
Nennspannung: 50 V
Reihe: EXR
Typ: niedrige Impedanz
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 16x26 mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
verfügbar: 6 St.
  • 6 St. - stock Köln
erwartet: 4000 St.
  • 4000 St. - erwartet 15.12.2026
auf Bestellung: 1 St.
  • 1 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10+0.63 EUR
100+0.57 EUR
1000+0.5 EUR
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Produktcode: 4775
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STP10NK60ZFP
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FP
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,75 Ohm
Bemerkung: Isoliertes Gehäuse
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 3 St.
  • 3 St. - stock Köln
auf Bestellung: 224 St.
  • 224 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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1+1.37 EUR
10+1.24 EUR
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Hersteller: YJ/MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-41
Sperrspannung Vrr, V: 1000 V
Mittlerer Strom Iav, A: 1 A
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 75 ns
Bemerkung: UF4001, UF4002, UF4003, UF4004, UF4005, UF4006, STTH110, MUR140, MUR160, HER107, HER108
Montage: UF4001, UF4002, UF4003, UF4004, UF4005, UF4006, STTH110, MUR140, MUR160, HER107, HER108
Warennummer: 8541 10 00 10
verfügbar: 422 St.
  • 422 St. - stock Köln
erwartet: 493 St.
  • 493 St. - erwartet
auf Bestellung: 234 St.
  • 234 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.6 EUR
10+0.54 EUR
100+0.24 EUR
1000+0.036 EUR
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