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IRF3710ZSTRLPBF


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Produktcode: 218330
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Transistoren > MOSFET N-CH

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IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950 Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Infineon Technologies irf3710z.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 22400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
306+2.13 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.71 EUR
10000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 306 Stücke
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IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Infineon Technologies irf3710z.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2773 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
306+2.13 EUR
500+1.89 EUR
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Mindestbestellmenge: 306 Stücke
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IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF INFINEON IRSDS11476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3710ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.018 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
auf Bestellung 555 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.2 EUR
250+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950 Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
auf Bestellung 1372 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.84 EUR
10+3.12 EUR
50+2.37 EUR
100+2.13 EUR
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IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950 MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
auf Bestellung 471 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.86 EUR
10+2.39 EUR
100+2.14 EUR
500+1.7 EUR
800+1.61 EUR
4800+1.55 EUR
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IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF INFINEON IRSDS11476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3710ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.018 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
auf Bestellung 555 Stücke:
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80+2.93 EUR
87+2.46 EUR
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Mindestbestellmenge: 43 Stücke
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IRF3710ZSTRLPBF irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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500+1.89 EUR
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IRF3710ZSTRLPBF IRSDS11476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3710ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.018 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
auf Bestellung 555 Stücke:
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IRF3710ZSTRLPBF irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
auf Bestellung 1372 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.84 EUR
10+3.12 EUR
50+2.37 EUR
100+2.13 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
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10+2.39 EUR
100+2.14 EUR
500+1.7 EUR
800+1.61 EUR
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IRF3710ZSTRLPBF IRSDS11476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3710ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.018 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
auf Bestellung 555 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSS138 (CJ, SOT-23)
Produktcode: 186257
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BSS138-JCET.pdf
Hersteller: CJ
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 50 В
Drain-Strom Idd, A: 0,2 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,5 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 27/
Montage: SMD
auf Bestellung: 3079 St.
  • 3079 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
21+0.058 EUR
24+0.051 EUR
100+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 21 St.
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Batterie "Krone" Lithium 9V 1St. SAFT LS9V|06180E
Produktcode: 155529
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ls_9v31080-saft-datasheet.pdf
Hersteller: SAFT
Batterien
Material: Lithium-Thionylchlorid (Li-SOCl2)
Größe: "Krone"
Spannung, V: 9 В
Bemerkung: 1200 mAh, Betriebstemperatur: -60... +85 °C
Form: Prismatisch
Kapazität, mAh: 1200 mAh
verfügbar: 6 St.
  • 6 St. - stock Köln
auf Bestellung: 158 St.
  • 158 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+15.28 EUR
10+14.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Flussmittel-Gel AF-28 50 мл
Produktcode: 130638
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Lötgeräte, Lötmaterial > Lötflussmittel
Kategorie: Flussmittel
Beschreibung: Universelles Flussmittel. Wird zum Löten von Aluminium, Metallkontakten, Platinen und Metallkonstruktionen verwendet: Kupfer-, verzinnten, Eisen-, Nickel-, Bronze-, Messing-, verzinkten Oberflächen, Edelstählen und anderen Legierungen.
Gewicht/Volumen/Menge: 50 мл
Konsistenz: Paste-Gel
erwartet: 112 St.
  • 100 St. - erwartet 02.10.2026
  • 12 St. - erwartet
auf Bestellung: 3 St.
  • 3 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+10.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138W
Produktcode: 49988
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ds30206-datasheet.pdf
Hersteller: Fairchild
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-323
Drain-Source-Spannung Uds, V: 50 V
Drain-Strom Idd, A: 0,2 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 50/
Montage: SMD
auf Bestellung: 91772 St.
  • 91772 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+0.14 EUR
10+0.12 EUR
100+0.11 EUR
1000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 9 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SN74HC02D
Produktcode: 30050
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description suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fsn74hc02
Hersteller: TI
IC > IC Logik
Gehäuse: SOIC-14
Beschreibung: Logikgatter Vierfach-2-Eingang
Montage: SMD (Oberflächenmontage)
Versorgung, V: 2...6 V
Temperatur, °C: -40...+85°C
Logikgatter-Typ: NOR-Gatter
verfügbar: 30 St.
  • 30 St. - stock Köln
auf Bestellung: 495 St.
  • 495 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+0.17 EUR
10+0.14 EUR
100+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 8 St.
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