Weitere Produktangebote IRF3710ZSTRLPBF nach Preis ab 1.49 EUR bis 5.84 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF3710ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
IRF3710ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 22400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
IRF3710ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 2773 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
IRF3710ZSTRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF3710ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.018 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 59A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 160W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm |
auf Bestellung 555 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
IRF3710ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1372 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
IRF3710ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg |
auf Bestellung 471 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
IRF3710ZSTRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF3710ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.018 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 59A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 160W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm |
auf Bestellung 555 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| IRF3710ZSTRLPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 800+ | 1.69 EUR |
| IRF3710ZSTRLPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 22400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 306+ | 2.13 EUR |
| 500+ | 1.89 EUR |
| 1000+ | 1.71 EUR |
| 10000+ | 1.49 EUR |
| IRF3710ZSTRLPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2773 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 306+ | 2.13 EUR |
| 500+ | 1.89 EUR |
| 1000+ | 1.71 EUR |
| IRF3710ZSTRLPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3710ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.018 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
Description: INFINEON - IRF3710ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.018 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
auf Bestellung 555 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.2 EUR |
| 250+ | 2.17 EUR |
| IRF3710ZSTRLPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
auf Bestellung 1372 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 4.84 EUR |
| 10+ | 3.12 EUR |
| 50+ | 2.37 EUR |
| 100+ | 2.13 EUR |
| IRF3710ZSTRLPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
auf Bestellung 471 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.86 EUR |
| 10+ | 2.39 EUR |
| 100+ | 2.14 EUR |
| 500+ | 1.7 EUR |
| 800+ | 1.61 EUR |
| 4800+ | 1.55 EUR |
| IRF3710ZSTRLPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3710ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.018 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
Description: INFINEON - IRF3710ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.018 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
auf Bestellung 555 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 43+ | 5.84 EUR |
| 80+ | 2.93 EUR |
| 87+ | 2.46 EUR |
| 100+ | 2.2 EUR |
| 250+ | 2.17 EUR |
Mit diesem Produkt kaufen
| BSS138 (CJ, SOT-23) Produktcode: 186257
1
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: CJ
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 50 В
Drain-Strom Idd, A: 0,2 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,5 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 27/
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 50 В
Drain-Strom Idd, A: 0,2 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,5 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 27/
Montage: SMD
auf Bestellung: 3079 St.
- 3079 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 21+ | 0.058 EUR |
| 24+ | 0.051 EUR |
| 100+ | 0.046 EUR |
| Batterie "Krone" Lithium 9V 1St. SAFT LS9V|06180E Produktcode: 155529
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: SAFT
Batterien
Material: Lithium-Thionylchlorid (Li-SOCl2)
Größe: "Krone"
Spannung, V: 9 В
Bemerkung: 1200 mAh, Betriebstemperatur: -60... +85 °C
Form: Prismatisch
Kapazität, mAh: 1200 mAh
Batterien
Material: Lithium-Thionylchlorid (Li-SOCl2)
Größe: "Krone"
Spannung, V: 9 В
Bemerkung: 1200 mAh, Betriebstemperatur: -60... +85 °C
Form: Prismatisch
Kapazität, mAh: 1200 mAh
verfügbar: 6 St.
- 6 St. - stock Köln
auf Bestellung: 158 St.
- 158 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 15.28 EUR |
| 10+ | 14.29 EUR |
| Flussmittel-Gel AF-28 50 мл Produktcode: 130638
11
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Lötgeräte, Lötmaterial > Lötflussmittel
Kategorie: Flussmittel
Beschreibung: Universelles Flussmittel. Wird zum Löten von Aluminium, Metallkontakten, Platinen und Metallkonstruktionen verwendet: Kupfer-, verzinnten, Eisen-, Nickel-, Bronze-, Messing-, verzinkten Oberflächen, Edelstählen und anderen Legierungen.
Gewicht/Volumen/Menge: 50 мл
Konsistenz: Paste-Gel
Kategorie: Flussmittel
Beschreibung: Universelles Flussmittel. Wird zum Löten von Aluminium, Metallkontakten, Platinen und Metallkonstruktionen verwendet: Kupfer-, verzinnten, Eisen-, Nickel-, Bronze-, Messing-, verzinkten Oberflächen, Edelstählen und anderen Legierungen.
Gewicht/Volumen/Menge: 50 мл
Konsistenz: Paste-Gel
erwartet: 112 St.
- 100 St. - erwartet 02.10.2026
- 12 St. - erwartet
auf Bestellung: 3 St.
- 3 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 10.19 EUR |
| BSS138W Produktcode: 49988
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Fairchild
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-323
Drain-Source-Spannung Uds, V: 50 V
Drain-Strom Idd, A: 0,2 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 50/
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-323
Drain-Source-Spannung Uds, V: 50 V
Drain-Strom Idd, A: 0,2 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 50/
Montage: SMD
auf Bestellung: 91772 St.
- 91772 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 9+ | 0.14 EUR |
| 10+ | 0.12 EUR |
| 100+ | 0.11 EUR |
| 1000+ | 0.075 EUR |
| SN74HC02D Produktcode: 30050
4
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: TI
IC > IC Logik
Gehäuse: SOIC-14
Beschreibung: Logikgatter Vierfach-2-Eingang
Montage: SMD (Oberflächenmontage)
Versorgung, V: 2...6 V
Temperatur, °C: -40...+85°C
Logikgatter-Typ: NOR-Gatter
IC > IC Logik
Gehäuse: SOIC-14
Beschreibung: Logikgatter Vierfach-2-Eingang
Montage: SMD (Oberflächenmontage)
Versorgung, V: 2...6 V
Temperatur, °C: -40...+85°C
Logikgatter-Typ: NOR-Gatter
verfügbar: 30 St.
- 30 St. - stock Köln
auf Bestellung: 495 St.
- 495 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 0.17 EUR |
| 10+ | 0.14 EUR |
| 100+ | 0.12 EUR |
| 1000+ | 0.11 EUR |











