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IRF3710ZSTRLPBF

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Produktcode: 218330
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Infineon Technologies irf3710z.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.45 EUR
1600+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950 Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Infineon Technologies irf3710z.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF INFINEON IRSDS11476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3710ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.018 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
auf Bestellung 555 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.42 EUR
250+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Infineon Technologies Infineon-IRF3710Z-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
auf Bestellung 573 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.86 EUR
10+2.39 EUR
100+2.14 EUR
500+1.7 EUR
800+1.59 EUR
2400+1.51 EUR
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IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950 Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
auf Bestellung 1535 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.94 EUR
10+3.19 EUR
50+2.43 EUR
100+2.18 EUR
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IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF INFINEON IRSDS11476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3710ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.018 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
auf Bestellung 555 Stücke:
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39+6.45 EUR
61+3.86 EUR
72+3 EUR
100+2.42 EUR
250+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
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IRF3710ZSTRLPBF irf3710z.pdf
IRF3710ZSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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AnzahlPrivatkunde
800+1.45 EUR
1600+1.25 EUR
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IRF3710ZSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
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Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF3710ZSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3710ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.018 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
auf Bestellung 555 Stücke:
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IRF3710ZSTRLPBF Infineon-IRF3710Z-DataSheet-v01_01-EN.pdf
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MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
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800+1.59 EUR
2400+1.51 EUR
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IRF3710ZSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
auf Bestellung 1535 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.94 EUR
10+3.19 EUR
50+2.43 EUR
100+2.18 EUR
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IRF3710ZSTRLPBF IRSDS11476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3710ZSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3710ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.018 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
39+6.45 EUR
61+3.86 EUR
72+3 EUR
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Li-Ion 600мАг, 9В, «Krona» Quantum Li-Ion-Akku USB type-C USB-C/Li-ionCR9V-600-PB2
Produktcode: 193753
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Li-Ion 600мАг, 9В, «Krona» Quantum Li-Ion-Akku USB type-C USB-C/Li-ionCR9V-600-PB2Li-Ion 600мАг, 9В, «Krona» Quantum Li-Ion-Akku USB type-C USB-C/Li-ionCR9V-600-PB2Li-Ion 600мАг, 9В, «Krona» Quantum Li-Ion-Akku USB type-C USB-C/Li-ionCR9V-600-PB2
Li-Ion 600мАг, 9В, «Krona» Quantum Li-Ion-Akku USB type-C USB-C/Li-ionCR9V-600-PB2Li-Ion 600мАг, 9В, «Krona» Quantum Li-Ion-Akku USB type-C USB-C/Li-ionCR9V-600-PB2Li-Ion 600мАг, 9В, «Krona» Quantum Li-Ion-Akku USB type-C USB-C/Li-ionCR9V-600-PB2
Hersteller: Quantum
Akkus > LiIon-Batterien
Technologie: Li-Ion
Typgröße / Abmessungen: «Krona»
Kapazität, mAh: 600 мА·год
Form: prismatisch
Spannung, V: 9 В
Besonderheiten: Mit USB-Type-C-Stecker
auf Bestellung: 24 St.
  • 24 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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1+11.55 EUR
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Batterie "Krone" Lithium 9V 1St. SAFT LS9V|06180E
Produktcode: 155529
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ls_9v31080-saft-datasheet.pdf
Batterie "Krone" Lithium 9V 1St. SAFT LS9V|06180E
Hersteller: SAFT
Batterien
Material: Lithium-Thionylchlorid (Li-SOCl2)
Größe: "Krone"
Spannung, V: 9 В
Bemerkung: 1200 mAh, Betriebstemperatur: -60... +85 °C
Form: Prismatisch
Kapazität, mAh: 1200 mAh
verfügbar: 6 St.
  • 6 St. - stock Köln
auf Bestellung: 163 St.
  • 163 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+15.28 EUR
10+14.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SN74HC02D
Produktcode: 30050
4 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
description suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fsn74hc02
SN74HC02D
Hersteller: TI
IC > IC Logik
Gehäuse: SOIC-14
Beschreibung: Logikgatter Vierfach-2-Eingang
Montage: SMD (Oberflächenmontage)
Versorgung, V: 2...6 V
Temperatur, °C: -40...+85°C
Logikgatter-Typ: NOR-Gatter
verfügbar: 30 St.
  • 30 St. - stock Köln
auf Bestellung: 520 St.
  • 520 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.17 EUR
10+0.14 EUR
100+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HIP4081AIBZ
Produktcode: 28771
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hip4081a-datasheet
HIP4081AIBZ
Hersteller: Intersil
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: SO-20
Versorgungsspannung Uc, V: 80 V
Ausgangsstrom Io ±, A: 2,5 A
Ausgangsspannung Vout, V: 9-15 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 40/30 ns
Bemerkung: Vollbrücke Vcc=15V
Produkt ist nicht verfügbar
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1+7.09 EUR
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