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IRF3710ZSTRLPBF

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Transistoren > MOSFET N-CH

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IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Hersteller : Infineon Technologies irf3710z.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Hersteller : Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950 Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
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IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Hersteller : Infineon Technologies irf3710z.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Hersteller : Infineon Technologies irf3710z.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Hersteller : Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950 Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
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IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IRF3710Z-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
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IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Hersteller : INFINEON IRSDS11476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3710ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.018 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Hersteller : INFINEON IRSDS11476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3710ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.018 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf3710zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
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+2
Hersteller: Quantum
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Technologie: Li-Ion
Größe/Typ: "Крона"
Kapazität mAh: 600 mAh
Form: призматична
Spannung, V: 9 V
Відмінності: З роз'ємом USB typeC
auf Bestellung 11 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SAFT LS9V Lithium Einwegbatterie LS 1,2 Ah Größe PP3
Hersteller: SAFT
Batterien
Material: літій-тіоніл-хлорид (Li-SOCl2)
Größe: "Крона"
Spannung: 9 V
Bemerkung: 1200 МАГ, Т.експлуатації-60... + 85 ° С
Призматична
Ємність, mAh: 1200 мАгод
verfügbar: 174 St.
9 St. - stock Köln
165 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
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SN74HC02D
Hersteller: TI
IC > IC Logik
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Beschreibung: Logic Gates Quad 2-Input
Analog 74хх: SMD
Strom.V: 2...6V
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Тип логіч. елем.: NOR
verfügbar: 834 St.
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804 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.14 EUR
10+0.12 EUR
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HIP4081AIBZ
Produktcode: 28771
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HIP4081AIBZ
Hersteller: Intersil
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Bemerkung: Vollbrücke Vcc=15V
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1+5.96 EUR
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