Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > IRF3710ZSTRLPBF

IRF3710ZSTRLPBF

irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950
Produktcode: 218330
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote IRF3710ZSTRLPBF nach Preis ab 1.32 EUR bis 5.8 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Infineon Technologies irf3710z.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Infineon Technologies irf3710z.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Infineon Technologies irf3710z.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 8800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Infineon Technologies irf3710z.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 8800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950 Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
auf Bestellung 11200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF INFINEON IRSDS11476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3710ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.018 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
auf Bestellung 558 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.19 EUR
250+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950 Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
auf Bestellung 11323 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.63 EUR
10+2.99 EUR
100+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Infineon Technologies Infineon-IRF3710Z-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
auf Bestellung 1091 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.34 EUR
10+3.44 EUR
100+2.34 EUR
500+1.82 EUR
800+1.63 EUR
2400+1.58 EUR
4800+1.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF INFINEON IRSDS11476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3710ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.018 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
auf Bestellung 558 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+5.8 EUR
67+3.47 EUR
80+2.7 EUR
100+2.19 EUR
250+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZSTRLPBF irf3710z.pdf
IRF3710ZSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZSTRLPBF irf3710z.pdf
IRF3710ZSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZSTRLPBF irf3710z.pdf
IRF3710ZSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 8800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZSTRLPBF irf3710z.pdf
IRF3710ZSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 8800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZSTRLPBF irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950
IRF3710ZSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
auf Bestellung 11200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZSTRLPBF IRSDS11476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3710ZSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3710ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.018 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
auf Bestellung 558 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.19 EUR
250+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZSTRLPBF irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950
IRF3710ZSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
auf Bestellung 11323 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.63 EUR
10+2.99 EUR
100+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZSTRLPBF Infineon-IRF3710Z-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF3710ZSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
auf Bestellung 1091 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.34 EUR
10+3.44 EUR
100+2.34 EUR
500+1.82 EUR
800+1.63 EUR
2400+1.58 EUR
4800+1.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZSTRLPBF IRSDS11476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3710ZSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3710ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.018 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
auf Bestellung 558 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
44+5.8 EUR
67+3.47 EUR
80+2.7 EUR
100+2.19 EUR
250+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

Mit diesem Produkt kaufen

Li-Ion 600мАг, 9В, «Krona» Quantum Li-Ion-Akku USB type-C USB-C/Li-ionCR9V-600-PB2
Produktcode: 193753
10 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Li-Ion 600мАг, 9В, «Krona» Quantum Li-Ion-Akku USB type-C USB-C/Li-ionCR9V-600-PB2Li-Ion 600мАг, 9В, «Krona» Quantum Li-Ion-Akku USB type-C USB-C/Li-ionCR9V-600-PB2Li-Ion 600мАг, 9В, «Krona» Quantum Li-Ion-Akku USB type-C USB-C/Li-ionCR9V-600-PB2
Li-Ion 600мАг, 9В, «Krona» Quantum Li-Ion-Akku USB type-C USB-C/Li-ionCR9V-600-PB2Li-Ion 600мАг, 9В, «Krona» Quantum Li-Ion-Akku USB type-C USB-C/Li-ionCR9V-600-PB2Li-Ion 600мАг, 9В, «Krona» Quantum Li-Ion-Akku USB type-C USB-C/Li-ionCR9V-600-PB2
Hersteller: Quantum
Akkus > LiIon-Batterien
Technologie: Li-Ion
Typgröße / Abmessungen: «Krona»
Kapazität, mAh: 600 мА·год
Form: prismatisch
Spannung, V: 9 В
Besonderheiten: Mit USB-Type-C-Stecker
auf Bestellung: 27 St.
  • 27 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+11.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Batterie "Krone" Lithium 9V 1St. SAFT LS9V|06180E
Produktcode: 155529
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
ls_9v31080-saft-datasheet.pdf
Batterie "Krone" Lithium 9V 1St. SAFT LS9V|06180E
Hersteller: SAFT
Batterien
Material: Lithium-Thionylchlorid (Li-SOCl2)
Größe: "Krone"
Spannung, V: 9 В
Bemerkung: 1200 mAh, Betriebstemperatur: -60... +85 °C
Form: Prismatisch
Kapazität, mAh: 1200 mAh
verfügbar: 6 St.
  • 6 St. - stock Köln
auf Bestellung: 164 St.
  • 164 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+15.28 EUR
10+14.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SN74HC02D
Produktcode: 30050
3 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
description suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fsn74hc02
SN74HC02D
Hersteller: TI
IC > IC Logik
Gehäuse: SOIC-14
Beschreibung: Logikgatter Vierfach-2-Eingang
Montage: SMD (Oberflächenmontage)
Versorgung, V: 2...6 V
Temperatur, °C: -40...+85°C
Logikgatter-Typ: NOR-Gatter
verfügbar: 30 St.
  • 30 St. - stock Köln
auf Bestellung: 520 St.
  • 520 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.17 EUR
10+0.14 EUR
100+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HIP4081AIBZ
Produktcode: 28771
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
hip4081a-datasheet
HIP4081AIBZ
Hersteller: Intersil
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: SO-20
Versorgungsspannung Uc, V: 80 V
Ausgangsstrom Io ±, A: 2,5 A
Ausgangsspannung Vout, V: 9-15 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 40/30 ns
Bemerkung: Vollbrücke Vcc=15V
Produkt ist nicht verfügbar
AnzahlPrivatkunde
1+7.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH