IRF3711Z


irf3711z-datasheet.pdf
Produktcode: 99471
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 20
Idd,A: 65
Rds(on), Ohm: 6.0 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2150/16
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
AnzahlPreis
1+1.4 EUR
10+1.26 EUR
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRF3711Z IRF3711Z Infineon Technologies irf3711z.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 92A TO220AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRF3711Z irf3711z.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 92A TO220AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 10 V
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