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IRF3808PBF

IRF3808PBF Infineon Technologies

infineonirf3808datasheetv0101en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details IRF3808PBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 75V 140A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V, Power Dissipation (Max): 330W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF3808PBF IRF3808PBF Infineon Technologies infineonirf3808datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 254 Stücke:
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254+2.43 EUR
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IRF3808PBF IRF3808PBF Infineon Technologies infineonirf3808datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 749 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
202+3.27 EUR
500+2.9 EUR
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IRF3808PBF IRF3808PBF Infineon Technologies infineonirf3808datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 108350 Stücke:
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202+3.27 EUR
500+2.9 EUR
1000+2.63 EUR
10000+2.28 EUR
100000+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 202 Stücke
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IRF3808PBF IRF3808PBF Infineon Technologies infineonirf3808datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 34500 Stücke:
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202+3.27 EUR
500+2.9 EUR
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IRF3808PBF IRF3808PBF Infineon Technologies infineonirf3808datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 729 Stücke:
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34+5.21 EUR
62+2.83 EUR
100+2.53 EUR
500+2.03 EUR
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IRF3808PBF IRF3808PBF Infineon Technologies Infineon_IRF3808_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT 75V 140A 7mOhm 150nC
auf Bestellung 269 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.99 EUR
10+3.01 EUR
100+2.75 EUR
500+2.26 EUR
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IRF3808PBF IRF3808PBF Infineon Technologies irf3808pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dff39e196a description Description: MOSFET N-CH 75V 140A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 892 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.75 EUR
50+3.38 EUR
100+3.06 EUR
500+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IRF3808PBF IRF3808PBF INFINEON 2043044.pdf description Description: INFINEON - IRF3808PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 140 A, 7000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
auf Bestellung 485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+7.88 EUR
64+3.67 EUR
100+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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IRF3808PBF IRF3808PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3808.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 9 Stücke:
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9+9.46 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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IRF3808/PBF IR
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IRF3808PBF description infineonirf3808datasheetv0101en.pdf
IRF3808PBF
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Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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AnzahlPrivatkunde
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IRF3808PBF description infineonirf3808datasheetv0101en.pdf
IRF3808PBF
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Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 749 Stücke:
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202+3.27 EUR
500+2.9 EUR
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IRF3808PBF
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Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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202+3.27 EUR
500+2.9 EUR
1000+2.63 EUR
10000+2.28 EUR
100000+1.89 EUR
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IRF3808PBF description infineonirf3808datasheetv0101en.pdf
IRF3808PBF
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Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3808PBF description infineonirf3808datasheetv0101en.pdf
IRF3808PBF
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Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 729 Stücke:
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MOSFETs MOSFT 75V 140A 7mOhm 150nC
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IRF3808PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 140A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3808PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 140 A, 7000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
auf Bestellung 485 Stücke:
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IRF3808PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+9.46 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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IRF3808/PBF
Hersteller: IR
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