IRF3808PBF Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 86+ | 1.80 EUR |
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Technische Details IRF3808PBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 140A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V, Power Dissipation (Max): 330W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.
Weitere Produktangebote IRF3808PBF nach Preis ab 0.96 EUR bis 5.02 EUR
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IRF3808PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3808PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3808PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 140A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Gate charge: 150nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 953 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF3808PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 140A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Gate charge: 150nC |
auf Bestellung 953 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3808PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 3954 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3808PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 4952 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3808PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 75V 140A 7mOhm 150nC |
auf Bestellung 535 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF3808PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 140A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
auf Bestellung 1240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF3808PBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF3808PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 140 A, 0.0059 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 140A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 1005 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3808PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 2204 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF3808/PBF | Hersteller : IR |
auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF3808PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRF3808PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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