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IRF3808PBF

IRF3808PBF

irf3808pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dff39e196a
Produktcode: 33009
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 75
Idd,A: 140
Rds(on), Ohm: 01.07.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 5310/150
JHGF: THT
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Technische Details IRF3808PBF IR

  • MOSFET, N, 75V, 140A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:75V
  • Cont Current Id:140A
  • On State Resistance:0.007ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:TO-220AB
  • Termination Type:Through Hole
  • Junction to Case Thermal Resistance A:0.45`C/W
  • Max Voltage Vds:75V
  • On State resistance @ Vgs = 10V:7ohm
  • Power Dissipation:330W
  • Power Dissipation Pd:330W
  • Pulse Current Idm:550A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRF3808PBF IRF3808PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf3808datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3808PBF IRF3808PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf3808datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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10000+1.77 EUR
100000+1.43 EUR
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IRF3808PBF IRF3808PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf3808datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3808PBF IRF3808PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf3808.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 304 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.4 EUR
36+2.03 EUR
40+1.83 EUR
50+1.7 EUR
100+1.59 EUR
250+1.42 EUR
500+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 22
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IRF3808PBF IRF3808PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf3808.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
auf Bestellung 304 Stücke:
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IRF3808PBF IRF3808PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf3808datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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34+4.31 EUR
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100+1.69 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.33 EUR
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IRF3808PBF IRF3808PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf3808datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3808PBF IRF3808PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf3808datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3808PBF IRF3808PBF Hersteller : Infineon Technologies irf3808pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dff39e196a Description: MOSFET N-CH 75V 140A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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IRF3808PBF IRF3808PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF3808_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 75V 140A 7mOhm 150nC
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IRF3808PBF IRF3808PBF Hersteller : INFINEON 2043044.pdf Description: INFINEON - IRF3808PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 140 A, 7000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IRF3808PBF IRF3808PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf3808-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3808/PBF Hersteller : IR
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PLS-40 Stifte auf Platte (KLS1-207-1-40-S – KLS)
Produktcode: 72296
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20220906123201KLS1-207.pdf
PLS-40 Stifte auf Platte (KLS1-207-1-40-S – KLS)
Hersteller: KLS
Steckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbindungen Überbrückungsstecker
Beschreibung: Stifte 1 - Reihe auf Platte gerade, 40 Kontakte, Schritt 2,54mm, 3А, Plattierung: Gold 0.8u"
Stecker/Buchse: Stifte (Stecker)
Schritt: 2,54mm
Anzahl Reihen: 1 - Reihe
Anzahl Kontakte: 40
verfügbar: 1031 Stück
161 Stück - stock Köln
870 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 15000 Stück
15000 Stück - erwartet 20.04.2026
Anzahl Preis
1+0.24 EUR
10+0.2 EUR
100+0.16 EUR
1000+0.14 EUR
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PBS-40 (CB39402V100, ZL262-40SG) (Buchse auf Platte, 1х40, 2,54mm)
Produktcode: 11339
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PBS-40 (CB39402V100, ZL262-40SG) (Buchse auf Platte, 1х40, 2,54mm)
Hersteller: CviLux/Ninigi
Steckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbindungen Überbrückungsstecker
Beschreibung: Buchse 1 - Reihe auf Platte gerade, 40 Kontakte, Schritt 2,54mm, 3А, 250VAC, Gold Flash
Stecker/Buchse: Buchse (Steckdose)
Schritt: 2,54mm
Anzahl Reihen: 1 - Reihe
Anzahl Kontakte: 40
№ 7: 8536 69 90 90
verfügbar: 1576 Stück
41 Stück - stock Köln
1535 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 50 Stück
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1+0.25 EUR
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Sicherung 5x20mm 20A 250V (50F-200H)
Produktcode: 3842
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Sicherung 5x20mm 20A 250V (50F-200H)
Hersteller: Hollyland
Sicherungen > Schmelzsicherungen
Funktionsbeschreibung: Schmelzsicherungen, in Glas, 20A 250V 5x20mm F
Nennstrom, А: 20A
Größe: 5х20mm
Bemerkung: Без виводів
Матеріал корпуса: Скло
Номінальна напруга: 250 VAC
Швидкодія: Швидкий
verfügbar: 5236 Stück
300 Stück - stock Köln
4936 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
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10+0.035 EUR
100+0.025 EUR
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47uF 25V EHR 5x11mm (EHR470M25B-Hitano)
Produktcode: 3479
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EHR_081225.pdf
47uF 25V EHR 5x11mm (EHR470M25B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 47uF
Nennspannung: 25V
Reihe: EHR
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 5x11mm
Lebensdauer: 5х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 3975 Stück
472 Stück - stock Köln
3503 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
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10+0.03 EUR
100+0.017 EUR
1000+0.015 EUR
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MER 100nF 630V K(+/-10%), P=15mm, 9,5x15x18mm (MER104K2JB-Hitano)
Produktcode: 2575
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MER_070523.pdf
MER 100nF 630V K(+/-10%), P=15mm, 9,5x15x18mm (MER104K2JB-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Folienkondensatoren
Kapazität: 100nF
Nennspannung, V: 630VDC
Präzision: ±10% K
Abstand ausg. und Abmessungen: P=15mm, 9,5x15x18mm
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Polyester
Abschwächungskonstante: 1% max. bei 1KHz, 25°С
Part Nummer: MER104K2JB
ZCODE: 8532 29 00 00
auf Bestellung 310 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.14 EUR
10+0.12 EUR
100+0.087 EUR
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