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IRF3808PBF

IRF3808PBF

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Produktcode: 33009
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 75
Idd,A: 140
Rds(on), Ohm: 01.07.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 5310/150
JHGF: THT
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Technische Details IRF3808PBF IR

  • MOSFET, N, 75V, 140A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:75V
  • Cont Current Id:140A
  • On State Resistance:0.007ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:TO-220AB
  • Termination Type:Through Hole
  • Junction to Case Thermal Resistance A:0.45`C/W
  • Max Voltage Vds:75V
  • On State resistance @ Vgs = 10V:7ohm
  • Power Dissipation:330W
  • Power Dissipation Pd:330W
  • Pulse Current Idm:550A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRF3808PBF IRF3808PBF Infineon Technologies infineonirf3808datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3808PBF IRF3808PBF Infineon Technologies infineonirf3808datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3808PBF IRF3808PBF Infineon Technologies infineonirf3808datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3808PBF IRF3808PBF Infineon Technologies infineonirf3808datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3808PBF IRF3808PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3808.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
auf Bestellung 193 Stücke:
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22+3.36 EUR
27+2.66 EUR
31+2.33 EUR
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IRF3808PBF IRF3808PBF Infineon Technologies infineonirf3808datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3808PBF IRF3808PBF Infineon Technologies Infineon_IRF3808_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT 75V 140A 7mOhm 150nC
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IRF3808PBF IRF3808PBF Infineon Technologies irf3808pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dff39e196a description Description: MOSFET N-CH 75V 140A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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IRF3808PBF IRF3808PBF INFINEON 2043044.pdf description Description: INFINEON - IRF3808PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 140 A, 7000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IRF3808PBF International Rectifier HiRel Products irf3808pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dff39e196a description Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3808/PBF IR
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IRF3808PBF description infineonirf3808datasheetv0101en.pdf
IRF3808PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3808PBF description infineonirf3808datasheetv0101en.pdf
IRF3808PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3808PBF description infineonirf3808datasheetv0101en.pdf
IRF3808PBF
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Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3808PBF description irf3808.pdf
IRF3808PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
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27+2.66 EUR
31+2.33 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 140A 7mOhm 150nC
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IRF3808PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 140A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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IRF3808PBF description 2043044.pdf
IRF3808PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3808PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 140 A, 7000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IRF3808PBF description irf3808pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dff39e196a
Hersteller: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3808/PBF
Hersteller: IR
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PLS-40 Stifte auf Platte (KLS1-207-1-40-S – KLS)
Produktcode: 72296
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20220906123201KLS1-207.pdf
PLS-40 Stifte auf Platte (KLS1-207-1-40-S – KLS)
Hersteller: KLS
Steckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbindungen Überbrückungsstecker
Beschreibung: Stifte 1 - Reihe auf Platte gerade, 40 Kontakte, Schritt 2,54mm, 3А, Plattierung: Gold 0.8u"
Stecker/Buchse: Stifte (Stecker)
Schritt: 2,54mm
Anzahl Reihen: 1 - Reihe
Anzahl Kontakte: 40
verfügbar: 124 St.
  • 123 St. - stock Köln
  • 1 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 30000 St.
  • 30000 St. - erwartet
AnzahlPreis
1+0.24 EUR
10+0.2 EUR
100+0.16 EUR
1000+0.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BH-14 (ZL231-14PG)(KLS1-202-14-S-B) (Stecker auf Platte)
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BH-14 (ZL231-14PG)(KLS1-202-14-S-B) (Stecker auf Platte)BH-14 (ZL231-14PG)(KLS1-202-14-S-B) (Stecker auf Platte)
Hersteller: KLS
Steckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbindungen Interface (außer USB, SATA)
Beschreibung: Stecker auf Platte, gerade Schritt 2,54mm 14 Kontakte (2х7), 3А, 250VAC
Stecker oder Steckdose: Stecker
Anzahl, Kontakte: 14
Серія: BH
Механічний монтаж: На плату
Орієнтація в просторі: Прямий
№ 5: 8536693000
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 2000 St.
  • 2000 St. - erwartet 15.08.2026
AnzahlPreis
1+0.15 EUR
10+0.12 EUR
100+0.068 EUR
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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094
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description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 1459 St.:
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AnzahlPreis
1+1.5 EUR
10+1.45 EUR
100+1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4905PBF
Produktcode: 22366
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irf4905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e329b1197e
IRF4905PBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 74
Rds(on),Om: 0.02
Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180
/: THT
auf Bestellung 1964 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 50 St.:
AnzahlPreis
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PBS-40 (CB39402V100, ZL262-40SG) (Buchse auf Platte, 1х40, 2,54mm)
Produktcode: 11339
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PBS-40 (CB39402V100, ZL262-40SG) (Buchse auf Platte, 1х40, 2,54mm)
Hersteller: CviLux/Ninigi
Steckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbindungen Überbrückungsstecker
Beschreibung: Buchse 1 - Reihe auf Platte gerade, 40 Kontakte, Schritt 2,54mm, 3А, 250VAC, Gold Flash
Stecker/Buchse: Buchse (Steckdose)
Schritt: 2,54mm
Anzahl Reihen: 1 - Reihe
Anzahl Kontakte: 40
№ 7: 8536 69 90 90
verfügbar: 41 St.
    AnzahlPreis
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