IRF40B207 Infineon Technologies
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| 2950+ | 0.39 EUR |
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Technische Details IRF40B207 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF40B207 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 95 A, 0.0036 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 95A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRF40B207 nach Preis ab 0.39 EUR bis 2.02 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRF40B207 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 40V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRF40B207 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRF40B207 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF40B207 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRF40B207 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRF40B207 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRF40B207 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRF40B207 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 123635 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF40B207 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 67A; 83W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 67A Power dissipation: 83W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 45nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF40B207 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 67A; 83W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 67A Power dissipation: 83W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 45nC |
auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF40B207 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 95A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 57A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 50µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1630 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF40B207 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH <= 40V |
auf Bestellung 1434 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF40B207 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF40B207 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 95 A, 0.0036 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 95A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1982 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF40B207 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF40B207 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRF40B207 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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